STMicroelectronics IGBT STGWT80H65FB N-kanálový 120 A 650 V, TO-3P, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- Skladové číslo RS:
- 829-7145
- Výrobní číslo:
- STGWT80H65FB
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
- Skladové číslo RS:
- 829-7145
- Výrobní číslo:
- STGWT80H65FB
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | IGBT | |
| Maximální trvalý kolektorový proud Ic | 120A | |
| Maximální napětí kolektoru Vceo | 650V | |
| Typ balení | TO-3P | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Typ kanálu | N | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální napětí brány VGEO | 20 V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu IGBT | ||
Maximální trvalý kolektorový proud Ic 120A | ||
Maximální napětí kolektoru Vceo 650V | ||
Typ balení TO-3P | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Typ kanálu N | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální napětí brány VGEO 20 V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Související odkazy
- STMicroelectronics IGBT STGWT80H65FB N-kanálový 120 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- STMicroelectronics IGBT N-kanálový 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT STGWT80H65DFB N-kanálový 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT N-kanálový 80 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT STGWT60H65DFB N-kanálový 80 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT N-kanálový 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- STMicroelectronics IGBT STGW80H65DFB N-kanálový 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- STMicroelectronics IGBT STGWA20HP65FB2 N-kanálový 40 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový 1