IXYS vysokorychlostní IGBT IXYB82N120C3H1 Typ N-kanálový 82 A 1200 V, PLUS264, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 jednotka)*

599,59 Kč

(bez DPH)

725,50 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 5 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
1 - 12599,59 Kč
13 +524,64 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
808-0237
Číslo zboží společnosti Distrelec:
302-53-440
Výrobní číslo:
IXYB82N120C3H1
Výrobce:
IXYS
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

IXYS

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

82A

Typ produktu

vysokorychlostní IGBT

Maximální napětí kolektoru Vceo

1200V

Maximální ztrátový výkon Pd

1040W

Typ balení

PLUS264

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Spínací napětí

50kHz

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

3.2V

Maximální napětí brány VGEO

±20 V

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

RoHS

Řada

Planar

Automobilový standard

Ne

IGBT Discretes, řada IXYS


Řada xpt™ samostatných IGBT od IXYS je vybavena technologií tenkých oplatků Extrémně lehké Punch-Through, která snižuje tepelnou odolnost a snižuje energetické ztráty. Tato zařízení nabízejí rychlé přepínání při nízkém proudovém zatížení a jsou k dispozici v různých průmyslových standardních a chráněných balících.

Vysoká hustota výkonu a nízká VCE(sat)

Bezpečnostní oblasti čtvercového zpětného chodu (RBSOA) až do jmenovitého havarijního napětí

Možnost zkratu pro 10USEC

Teplotní koeficient kladného napětí na stavu

Volitelné diody Sonic-FRD™ nebo HiPerFRED™ nabité spol

Mezinárodní standardní a proprietární vysokonapěťové balíky

IGBT dispectes & Moduly, IXYS


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy