IGBT IXYH50N120C3D1 N-kanálový 90 A 1200 V, TO-247, počet kolíků: 3 50kHz Jednoduchý

Zobrazit vše v kategorii IGBT

Mezisoučet (1 tuba po 30 kusech)*

7 508,79 Kč

(bez DPH)

9 085,65 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • 30 jednotka(y) budou odesílané od 04. března 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za tubu*
30 +250,293 Kč7 508,79 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
920-1007
Výrobní číslo:
IXYH50N120C3D1
Výrobce:
IXYS
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

IXYS

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

90 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

1200 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±20V

Maximální ztrátový výkon

625 W

Typ balení

TO-247

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

N

Počet kolíků

3

Rychlost spínání

50kHz

Konfigurace tranzistoru

Jednoduchý

Rozměry

16.26 x 5.3 x 21.46mm

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Minimální provozní teplota

-55 °C

Země původu (Country of Origin):
US

IGBT Discretes, řada IXYS


Řada xpt™ samostatných IGBT od IXYS je vybavena technologií tenkých oplatků Extrémně lehké Punch-Through, která snižuje tepelnou odolnost a snižuje energetické ztráty. Tato zařízení nabízejí rychlé přepínání při nízkém proudovém zatížení a jsou k dispozici v různých průmyslových standardních a chráněných balících.

Vysoká hustota výkonu a nízká VCE(sat)
Bezpečnostní oblasti čtvercového zpětného chodu (RBSOA) až do jmenovitého havarijního napětí
Možnost zkratu pro 10USEC
Teplotní koeficient kladného napětí na stavu
Volitelné diody Sonic-FRD™ nebo HiPerFRED™ nabité spol
Mezinárodní standardní a proprietární vysokonapěťové balíky


IGBT dispectes & Moduly, IXYS


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy