IXYS vysokorychlostní IGBT IXYX100N120C3 Typ N-kanálový 100 A 1200 V, PLUS247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor

Zobrazit vše v kategorii IGBT

Mezisoučet (1 jednotka)*

521,66 Kč

(bez DPH)

631,21 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • 9 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
1 +521,66 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
808-0225
Výrobní číslo:
IXYX100N120C3
Výrobce:
IXYS
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

IXYS

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

100A

Typ produktu

vysokorychlostní IGBT

Maximální napětí kolektoru Vceo

1200V

Maximální ztrátový výkon Pd

1150W

Typ balení

PLUS247

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Spínací napětí

50kHz

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

3.5V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální napětí brány VGEO

±20 V

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

International Standard Packages

Řada

1200V XPTTM IGBTs GenX3TM

Šířka

15.75 mm

Délka

20.32mm

Automobilový standard

Ne

IGBT Discretes, řada IXYS


Řada xpt™ samostatných IGBT od IXYS je vybavena technologií tenkých oplatků Extrémně lehké Punch-Through, která snižuje tepelnou odolnost a snižuje energetické ztráty. Tato zařízení nabízejí rychlé přepínání při nízkém proudovém zatížení a jsou k dispozici v různých průmyslových standardních a chráněných balících.

Vysoká hustota výkonu a nízká VCE(sat)

Bezpečnostní oblasti čtvercového zpětného chodu (RBSOA) až do jmenovitého havarijního napětí

Možnost zkratu pro 10USEC

Teplotní koeficient kladného napětí na stavu

Volitelné diody Sonic-FRD™ nebo HiPerFRED™ nabité spol

Mezinárodní standardní a proprietární vysokonapěťové balíky

IGBT dispectes & Moduly, IXYS


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy