STMicroelectronics IGBT STGW30NC120HD Typ N-kanálový 30 A 1200 V, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 2 kusech)*

190,93 Kč

(bez DPH)

231,026 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Na objednávky v hodnotě nižší než 1 500,00 Kč (bez DPH) se vztahuje poplatek ve výši 180,00 Kč.
Skladem
  • Plus 64 jednotka(y) budou odesílané od 23. února 2026
  • Plus 166 jednotka(y) budou odesílané od 02. března 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za balení*
2 - 895,465 Kč190,93 Kč
10 - 2481,635 Kč163,27 Kč
26 - 9876,94 Kč153,88 Kč
100 - 49865,95 Kč131,90 Kč
500 +58,665 Kč117,33 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
795-9136
Výrobní číslo:
STGW30NC120HD
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

30A

Typ produktu

IGBT

Maximální napětí kolektoru Vceo

1200V

Maximální ztrátový výkon Pd

220W

Typ balení

TO-247

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Spínací napětí

1MHz

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2.75V

Maximální napětí brány VGEO

±25 V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

150°C

Délka

14.8mm

Normy/schválení

ECOPACK, JEDEC JESD97

Šířka

15.75 mm

Výška

20.15mm

Automobilový standard

Ne

IGBT Discretes, STMicroelectronics


IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy

Recently viewed