STMicroelectronics IGBT STGW30NC120HD Typ N-kanálový 30 A 1200 V, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- Skladové číslo RS:
- 795-9136
- Výrobní číslo:
- STGW30NC120HD
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
238,85 Kč
(bez DPH)
289,008 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 62 jednotka(y) budou odesílané od 25. května 2026
- Plus 136 jednotka(y) budou odesílané od 01. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 119,425 Kč | 238,85 Kč |
| 10 - 24 | 102,26 Kč | 204,52 Kč |
| 26 - 98 | 96,33 Kč | 192,66 Kč |
| 100 - 498 | 82,50 Kč | 165,00 Kč |
| 500 + | 73,485 Kč | 146,97 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 795-9136
- Výrobní číslo:
- STGW30NC120HD
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | IGBT | |
| Maximální trvalý kolektorový proud Ic | 30A | |
| Maximální napětí kolektoru Vceo | 1200V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 220W | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Spínací napětí | 1MHz | |
| Maximální napětí brány VGEO | ±25 V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT | 2.75V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | ECOPACK, JEDEC JESD97 | |
| Délka | 14.8mm | |
| Výška | 20.15mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu IGBT | ||
Maximální trvalý kolektorový proud Ic 30A | ||
Maximální napětí kolektoru Vceo 1200V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 220W | ||
Typ balení TO-247 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Počet kolíků 3 | ||
Spínací napětí 1MHz | ||
Maximální napětí brány VGEO ±25 V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT 2.75V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení ECOPACK, JEDEC JESD97 | ||
Délka 14.8mm | ||
Výška 20.15mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.
Související odkazy
- STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 30 A 1200 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- Infineon IGBT Typ N-kanálový 25 A 1200 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- Infineon IGBT Typ N-kanálový 100 A 1200 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- Infineon IGBT Typ N-kanálový 40 A 1200 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- Infineon IGBT IGW60T120FKSA1 Typ N-kanálový 100 A 1200 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- Infineon IGBT IKW40N120T2FKSA1 Typ N-kanálový 40 A 1200 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- Infineon IGBT IGW25N120H3FKSA1 Typ N-kanálový 25 A 1200 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 120 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz