IGBT IKW40N120T2FKSA1 N-kanálový 75 A 1200 V, TO-247, počet kolíků: 3 1MHz Jednoduchý

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 2 kusech)*

407,82 Kč

(bez DPH)

493,46 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 26 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
  • Plus 46 jednotka(y) budou odesílané od 28. ledna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za balení*
2 - 8203,91 Kč407,82 Kč
10 - 18191,67 Kč383,34 Kč
20 - 48185,62 Kč371,24 Kč
50 - 98177,345 Kč354,69 Kč
100 +165,12 Kč330,24 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
906-4488
Výrobní číslo:
IKW40N120T2FKSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

75 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

1200 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±20V

Maximální ztrátový výkon

480 W

Typ balení

TO-247

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

N

Počet kolíků

3

Rychlost spínání

1MHz

Konfigurace tranzistoru

Jednoduchý

Rozměry

16.13 x 5.21 x 21.1mm

Maximální pracovní teplota

+175 °C

Kapacitance hradla

2360pF

Jmenovitá energie

8.3mJ

Minimální provozní teplota

-40 °C

Infineon TrenchStop IGBT tranzistory, 1 100 až 1 600


Řada IGBT tranzistorů od společnosti Infineon s jmenovitým napětím sběračů 1100 až 1600 V vybavených technologií TrenchStop™. Tato řada zahrnuje zařízení s integrovanou antiparalelní diodou pro vysokou rychlost obnovy.

• Rozsah napětí sběračů-emitoru od 1100 do 1600V.
• Velmi nízký VCEsat
• Nízké ztráty při vypnutí
• Krátký proud zadních výklopných dveří
• Nízká EMI
• Maximální teplota spoje 175 °C.


IGBT Discretes & Modules Infineon


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy