Infineon IGBT IKW40N120T2FKSA1 Typ N-kanálový 40 A 1200 V, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 2 kusech)*

293,93 Kč

(bez DPH)

355,656 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 22 jednotka(y) budou odesílané od 25. května 2026
  • Plus 4 jednotka(y) budou odesílané od 01. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
za balení*
2 - 8146,965 Kč293,93 Kč
10 - 18138,32 Kč276,64 Kč
20 - 48134,00 Kč268,00 Kč
50 - 98127,945 Kč255,89 Kč
100 +119,18 Kč238,36 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
906-4488
Výrobní číslo:
IKW40N120T2FKSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

40A

Typ produktu

IGBT

Maximální napětí kolektoru Vceo

1200V

Maximální ztrátový výkon Pd

480W

Typ balení

TO-247

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Spínací napětí

1MHz

Maximální napětí brány VGEO

20 V

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2.2V

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

Pb-Free, RoHS, JEDEC

Řada

TrenchStop

Automobilový standard

Ne

Jmenovitá energie

8.3mJ

Infineon TrenchStop IGBT tranzistory, 1 100 až 1 600


Řada IGBT tranzistorů od společnosti Infineon s jmenovitým napětím sběračů 1100 až 1600 V vybavených technologií TrenchStop™. Tato řada zahrnuje zařízení s integrovanou antiparalelní diodou pro vysokou rychlost obnovy.

• Rozsah napětí sběračů-emitoru od 1100 do 1600V.

• Velmi nízký VCEsat

• Nízké ztráty při vypnutí

• Krátký proud zadních výklopných dveří

• Nízká EMI

• Maximální teplota spoje 175 °C.

IGBT Discretes & Modules Infineon


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy