Infineon IGBT IGW25N120H3FKSA1 N-kanálový 25 A 1.2 kV, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- Skladové číslo RS:
- 165-5770
- Výrobní číslo:
- IGW25N120H3FKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 60 kusů a ušetřete 198,60 Kč
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 tuba po 30 kusech)*
1 982,91 Kč
(bez DPH)
2 399,31 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 150 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* | Úspora |
|---|---|---|---|
| 30 - 30 | 66,097 Kč | 1 982,91 Kč | - |
| 60 - 120 | 62,787 Kč | 1 883,61 Kč | 198,60 Kč |
| 150 + | 60,153 Kč | 1 804,59 Kč | 891,60 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 165-5770
- Výrobní číslo:
- IGW25N120H3FKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | IGBT | |
| Maximální trvalý kolektorový proud Ic | 25A | |
| Maximální napětí kolektoru Vceo | 1.2kV | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 326W | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Typ kanálu | N | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Spínací napětí | 1MHz | |
| Minimální provozní teplota | -40°C | |
| Maximální napětí brány VGEO | ±20 V | |
| Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT | 2.05V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | JEDEC, RoHS | |
| Řada | TrenchStop | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu IGBT | ||
Maximální trvalý kolektorový proud Ic 25A | ||
Maximální napětí kolektoru Vceo 1.2kV | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 326W | ||
Typ balení TO-247 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Typ kanálu N | ||
Počet kolíků 3 | ||
Spínací napětí 1MHz | ||
Minimální provozní teplota -40°C | ||
Maximální napětí brány VGEO ±20 V | ||
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT 2.05V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení JEDEC, RoHS | ||
Řada TrenchStop | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Infineon TrenchStop IGBT tranzistory, 1 100 až 1 600
Řada IGBT tranzistorů od společnosti Infineon s jmenovitým napětím sběračů 1100 až 1600 V vybavených technologií TrenchStop™. Tato řada zahrnuje zařízení s integrovanou antiparalelní diodou pro vysokou rychlost obnovy.
• Rozsah napětí sběračů-emitoru od 1100 do 1600V.
• Velmi nízký VCEsat
• Nízké ztráty při vypnutí
• Krátký proud zadních výklopných dveří
• Nízká EMI
• Maximální teplota spoje 175 °C.
IGBT Discretes & Modules Infineon
Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.
Související odkazy
- Infineon IGBT IGW25N120H3FKSA1 N-kanálový 25 A 1.2 kV počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- Infineon IGBT N-kanálový 81 A 1.2 kV, TO-247
- Infineon IGBT AUIRG4PH50S N-kanálový 81 A 1.2 kV, TO-247
- Infineon IGBT IKW40N120T2FKSA1 N-kanálový 40 A 1.2 kV počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- Infineon IGBT IGW60T120FKSA1 N-kanálový 100 A 1.2 kV počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- Infineon IGBT IKQ40N120CH3XKSA1 80 A 1.2 kV počet kolíků: 3 kolíkový
- Infineon IGBT IKQ50N120CH3XKSA1 50 A 1.2 kV počet kolíků: 3 kolíkový
- Infineon IGBT IKQ75N120CH3XKSA1 75 A 1.2 kV počet kolíků: 3 kolíkový