onsemi IGBT FGAF40N60UFTU Typ N-kanálový 40 A 600 V, TO-3PF, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 130 ns

Zobrazit vše v kategorii IGBT

Mezisoučet (1 jednotka)*

30,57 Kč

(bez DPH)

36,99 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Na objednávky v hodnotě nižší než 1 500,00 Kč (bez DPH) se vztahuje poplatek ve výši 180,00 Kč.
Poslední zásoby RS
  • Plus 1 jednotka(y) budou odesílané od 23. února 2026
  • Konečné odeslání 638 jednotky (jednotek) od 02. března 2026
Ks
za jednotku
1 +30,57 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
759-9257
Výrobní číslo:
FGAF40N60UFTU
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Typ produktu

IGBT

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

40A

Maximální napětí kolektoru Vceo

600V

Maximální ztrátový výkon Pd

100W

Typ balení

TO-3PF

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Spínací napětí

130ns

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2.3V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální napětí brány VGEO

±20 V

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

AEC, RoHS

Řada

UF

Délka

26.5mm

Výška

5.45mm

Šířka

23 mm

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
CN

Diskrétní IGBT, Fairchild Semiconductor


IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy