onsemi IGBT FGAF40S65AQ Typ N-kanálový 80 A 650 V, TO-3PF, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- Skladové číslo RS:
- 185-8956
- Výrobní číslo:
- FGAF40S65AQ
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 3 kusech)*
272,94 Kč
(bez DPH)
330,27 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 501 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 3 - 27 | 90,98 Kč | 272,94 Kč |
| 30 + | 78,463 Kč | 235,39 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 185-8956
- Výrobní číslo:
- FGAF40S65AQ
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Maximální trvalý kolektorový proud Ic | 80A | |
| Typ produktu | IGBT | |
| Maximální napětí kolektoru Vceo | 650V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 94W | |
| Typ balení | TO-3PF | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální napětí brány VGEO | ±20 V | |
| Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT | 1.6V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Řada | Trench | |
| Normy/schválení | Pb-Free and is RoHS | |
| Délka | 19.1mm | |
| Jmenovitá energie | 325mJ | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Maximální trvalý kolektorový proud Ic 80A | ||
Typ produktu IGBT | ||
Maximální napětí kolektoru Vceo 650V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 94W | ||
Typ balení TO-3PF | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální napětí brány VGEO ±20 V | ||
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT 1.6V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Řada Trench | ||
Normy/schválení Pb-Free and is RoHS | ||
Délka 19.1mm | ||
Jmenovitá energie 325mJ | ||
Automobilový standard Ne | ||
Nevyhovuje
- Země původu (Country of Origin):
- KR
Nová technologie IGBT pro zastavení na poli staví on Semiconductor a 4. Generace RC IGBT
Maximální teplota spoje: TJ = 175 °C.
Kladná temperaure pro snadné paralelní ovládání
Pro vysoké hodnoty proudu
Nízké napětí saturace: VCE(sat) = 1,6 V(Typ.) při IC = 40 A
Vysoká vstupní impedance
100 % testovaných dílů pro ILM
Rychlé spínání
Utažení distribuce parametrů
IGBT s monolitickou reverzní vodící diodou
Aplikace
Spotřebiče
PFC, svařovací zařízení
Průmyslová aplikace
Související odkazy
- onsemi IGBT Typ N-kanálový 80 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- onsemi IGBT Typ N-kanálový 80 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- onsemi IGBT FGAF40N60SMD Typ N-kanálový 80 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- onsemi IGBT Typ N-kanálový 40 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 130 ns
- onsemi TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Povrch
- onsemi IGBT FGAF40N60UFTU Typ N-kanálový 40 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 130 ns
- onsemi TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Povrch
- onsemi TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor