Semikron Danfoss IGBT modul SKM150GB12T4 Typ N-kanálový 232 A 1200 V, SEMITRANS, počet kolíků: 7 kolíkový Panel 20 kHz 2

Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 jednotka)*

3 083,19 Kč

(bez DPH)

3 730,66 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 36 jednotka(y) budou odesílané od 20. července 2026
  • Plus 96 jednotka(y) budou odesílané od 27. července 2026
  • Plus 32 jednotka(y) budou odesílané od 21. října 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
1 - 13 083,19 Kč
2 - 42 928,93 Kč
5 - 92 299,82 Kč
10 - 192 050,35 Kč
20 +1 965,63 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
687-4964
Výrobní číslo:
SKM150GB12T4
Výrobce:
Semikron Danfoss
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Semikron Danfoss

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

232A

Typ produktu

IGBT modul

Maximální napětí kolektoru Vceo

1200V

Počet tranzistorů

2

Typ balení

SEMITRANS

Typ montáže

Panel

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

7

Spínací napětí

20kHz

Maximální napětí brány VGEO

20 V

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2.05V

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

No

Řada

SKM150GB12T4

Délka

94mm

Výška

30.1mm

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
SK

Duální moduly IGBT


Řada modulů SEMITOP® IGBT od společnosti Semikron, které obsahují dvě zařízení IGBT (poloviční můstek). Moduly jsou k dispozici v širokém rozsahu napětí a proudových hodnocení a jsou vhodné pro různé aplikace přepínání napájení, jako jsou pohony motorů invertoru střídavého proudu a zdroje nepřerušitelného napájení.

Kompaktní balíček SEMITOP®

Vhodné pro přepínání frekvencí až do 12 kHz

Izolovaná měděná základová deska pomocí přímé měděné technologie

IGBT moduly, Semikron


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.