IGBT modul SKM150GB12T4 N-kanálový 232 A 1200 V, SEMITRANS2, počet kolíků: 7 Sériové zapojení

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 jednotka)*

3 083,19 Kč

(bez DPH)

3 730,66 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 7 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
  • Plus 9 jednotka(y) budou odesílané od 03. února 2026
  • Plus 4 jednotka(y) budou odesílané od 03. března 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
1 - 13 083,19 Kč
2 - 42 928,93 Kč
5 - 92 299,82 Kč
10 - 192 050,35 Kč
20 +1 965,63 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
687-4964
Výrobní číslo:
SKM150GB12T4
Výrobce:
Semikron Danfoss
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Semikron Danfoss

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

232 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

1200 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±20V

Konfigurace

Dvojitý poloviční můstek

Typ balení

SEMITRANS2

Typ montáže

Montáž do panelu

Typ kanálu

N

Počet kolíků

7

Konfigurace tranzistoru

Sériové zapojení

Rozměry

94 x 34 x 30.1mm

Minimální provozní teplota

-40 °C

Maximální pracovní teplota

+175 °C

Země původu (Country of Origin):
SK

Duální moduly IGBT


Řada modulů SEMITOP® IGBT od společnosti Semikron, které obsahují dvě zařízení IGBT (poloviční můstek). Moduly jsou k dispozici v širokém rozsahu napětí a proudových hodnocení a jsou vhodné pro různé aplikace přepínání napájení, jako jsou pohony motorů invertoru střídavého proudu a zdroje nepřerušitelného napájení.

Kompaktní balíček SEMITOP®
Vhodné pro přepínání frekvencí až do 12 kHz
Izolovaná měděná základová deska pomocí přímé měděné technologie


IGBT moduly, Semikron


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy