Semikron Danfoss IGBT modul SKM300GB12E4 Typ N-kanálový 422 A 1200 V, SEMITRANS, počet kolíků: 7 kolíkový Šroubová

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 jednotka)*

5 204,97 Kč

(bez DPH)

6 298,01 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • 12 jednotka(y) budou odesílané od 06. května 2026
  • Plus 12 jednotka(y) budou odesílané od 29. července 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
1 - 15 204,97 Kč
2 - 44 876,77 Kč
5 +4 549,49 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
125-1113
Výrobní číslo:
SKM300GB12E4
Výrobce:
Semikron Danfoss
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Semikron Danfoss

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

422A

Typ produktu

IGBT modul

Maximální napětí kolektoru Vceo

1200V

Počet tranzistorů

2

Typ balení

SEMITRANS

Typ montáže

Šroubová svorka

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

7

Spínací napětí

12kHz

Minimální provozní teplota

175°C

Maximální napětí brány VGEO

20 V

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2.1V

Maximální provozní teplota

-40°C

Délka

106.4mm

Výška

30.5mm

Normy/schválení

No

Řada

SKM300GB12E4

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
SK

Duální moduly IGBT


Řada modulů SEMITOP® IGBT od společnosti Semikron, které obsahují dvě zařízení IGBT (poloviční můstek). Moduly jsou k dispozici v širokém rozsahu napětí a proudových hodnocení a jsou vhodné pro různé aplikace přepínání napájení, jako jsou pohony motorů invertoru střídavého proudu a zdroje nepřerušitelného napájení.

Kompaktní balíček SEMITOP®

Vhodné pro přepínání frekvencí až do 12 kHz

Izolovaná měděná základová deska pomocí přímé měděné technologie

IGBT moduly, Semikron


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy