IGBT modul SKM300GB12E4 N-kanálový 422 A 1200 V, SEMITRANS3, počet kolíků: 7 12kHz 2 Poloviční můstek

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 jednotka)*

5 204,97 Kč

(bez DPH)

6 298,01 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • 2 jednotka(y) budou odesílané od 09. března 2026
  • Plus 12 jednotka(y) budou odesílané od 03. června 2026
  • Plus 12 jednotka(y) budou odesílané od 29. července 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
1 - 15 204,97 Kč
2 - 44 876,77 Kč
5 +4 549,49 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
125-1113
Výrobní číslo:
SKM300GB12E4
Výrobce:
Semikron Danfoss
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Semikron Danfoss

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

422 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

1200 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

20V

Počet tranzistorů

2

Typ balení

SEMITRANS3

Konfigurace

Duální

Typ montáže

Upevnění šroubem

Typ kanálu

N

Počet kolíků

7

Rychlost spínání

12kHz

Konfigurace tranzistoru

Poloviční můstek

Rozměry

106.4 x 61.4 x 30.5mm

Minimální provozní teplota

-40 °C

Maximální pracovní teplota

+175 °C

Země původu (Country of Origin):
SK

Duální moduly IGBT


Řada modulů SEMITOP® IGBT od společnosti Semikron, které obsahují dvě zařízení IGBT (poloviční můstek). Moduly jsou k dispozici v širokém rozsahu napětí a proudových hodnocení a jsou vhodné pro různé aplikace přepínání napájení, jako jsou pohony motorů invertoru střídavého proudu a zdroje nepřerušitelného napájení.

Kompaktní balíček SEMITOP®
Vhodné pro přepínání frekvencí až do 12 kHz
Izolovaná měděná základová deska pomocí přímé měděné technologie


IGBT moduly, Semikron


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy