Semikron Danfoss IGBT modul SKM100GB125DN Typ N-kanálový Dvojitý poloviční můstek 100 A 1200 V, SEMITRANS, počet kolíků:

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 jednotka)*

5 390,95 Kč

(bez DPH)

6 523,05 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 2 jednotka/jednotek připraveno k odeslání
  • Plus 159 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
1 - 15 390,95 Kč
2 - 45 121,05 Kč
5 - 94 868,12 Kč
10 - 194 620,14 Kč
20 +4 388,20 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
468-2410
Výrobní číslo:
SKM100GB125DN
Výrobce:
Semikron Danfoss
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Semikron Danfoss

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

100A

Typ produktu

IGBT modul

Maximální napětí kolektoru Vceo

1200V

Počet tranzistorů

2

Konfigurace

Dvojitý poloviční můstek

Typ balení

SEMITRANS

Typ montáže

Panel

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

7

Minimální provozní teplota

150°C

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

3.85V

Maximální napětí brány VGEO

20 V

Maximální provozní teplota

-40°C

Normy/schválení

No

Výška

30.5mm

Šířka

34.5 mm

Délka

94.5mm

Automobilový standard

Ne

Duální moduly IGBT


Řada modulů SEMITOP® IGBT od společnosti Semikron, které obsahují dvě zařízení IGBT (poloviční můstek). Moduly jsou k dispozici v širokém rozsahu napětí a proudových hodnocení a jsou vhodné pro různé aplikace přepínání napájení, jako jsou pohony motorů invertoru střídavého proudu a zdroje nepřerušitelného napájení.

Kompaktní balíček SEMITOP®

Vhodné pro přepínání frekvencí až do 12 kHz

Izolovaná měděná základová deska pomocí přímé měděné technologie

IGBT moduly, Semikron


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy