Semikron Danfoss IGBT modul SKM200GB176D N-kanálový 260 A 1700 V, SEMITRANS, počet kolíků: 7 kolíkový Panel 2

Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů

Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 jednotka)*

5 124,26 Kč

(bez DPH)

6 200,35 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Poslední zásoby RS
  • Plus 2 jednotka(y) budou odesílané od 05. října 2026
  • Konečné odeslání 74 jednotky (jednotek) od 12. října 2026

Ks
za jednotku
1 - 95 124,26 Kč
10 - 194 992,86 Kč
20 +4 868,12 Kč

*orientační cena

Alternativa

Tento produkt není v současné chvíli dostupný. Prohlédněte si alternativní výrobek, který jsme pro Vás našli.

Skladové číslo RS:
505-3217
Výrobní číslo:
SKM200GB176D
Výrobce:
Semikron Danfoss
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Semikron Danfoss

Typ produktu

IGBT modul

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

260A

Maximální napětí kolektoru Vceo

1700V

Počet tranzistorů

2

Typ balení

SEMITRANS

Typ montáže

Panel

Typ kanálu

N

Počet kolíků

7

Maximální napětí brány VGEO

20 V

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2.45V

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální provozní teplota

150°C

Řada

SKM200GB176D

Výška

30mm

Šířka

61.4mm

Normy/schválení

No

Délka

106.4mm

Automobilový standard

Ne

Duální moduly IGBT


Řada modulů SEMITOP® IGBT od společnosti Semikron, které obsahují dvě zařízení IGBT (poloviční můstek). Moduly jsou k dispozici v širokém rozsahu napětí a proudových hodnocení a jsou vhodné pro různé aplikace přepínání napájení, jako jsou pohony motorů invertoru střídavého proudu a zdroje nepřerušitelného napájení.

Kompaktní balíček SEMITOP®

Vhodné pro přepínání frekvencí až do 12 kHz

Izolovaná měděná základová deska pomocí přímé měděné technologie

IGBT moduly, Semikron


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.