Semikron Danfoss IGBT modul SKM300GB125D Typ N-kanálový 300 A 1200 V, SEMITRANS, počet kolíků: 7 kolíkový Panel 2

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 jednotka)*

13 944,63 Kč

(bez DPH)

16 873,00 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 39 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
  • Plus 16 jednotka(y) budou odesílané od 31. března 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
1 - 113 944,63 Kč
2 - 413 247,60 Kč
5 - 912 592,06 Kč
10 - 1911 964,43 Kč
20 +11 378,80 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
468-2498
Výrobní číslo:
SKM300GB125D
Výrobce:
Semikron Danfoss
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Semikron Danfoss

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

300A

Typ produktu

IGBT modul

Maximální napětí kolektoru Vceo

1200V

Počet tranzistorů

2

Typ balení

SEMITRANS

Typ montáže

Panel

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

7

Minimální provozní teplota

150°C

Maximální napětí brány VGEO

20 V

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

3.85V

Maximální provozní teplota

-40°C

Délka

106.4mm

Normy/schválení

No

Šířka

61.4 mm

Řada

SKM300GB125D

Výška

30.5mm

Automobilový standard

Ne

Duální moduly IGBT


Řada modulů SEMITOP® IGBT od společnosti Semikron, které obsahují dvě zařízení IGBT (poloviční můstek). Moduly jsou k dispozici v širokém rozsahu napětí a proudových hodnocení a jsou vhodné pro různé aplikace přepínání napájení, jako jsou pohony motorů invertoru střídavého proudu a zdroje nepřerušitelného napájení.

Kompaktní balíček SEMITOP®

Vhodné pro přepínání frekvencí až do 12 kHz

Izolovaná měděná základová deska pomocí přímé měděné technologie

IGBT moduly, Semikron


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy