Semikron Danfoss IGBT modul SKM75GB12T4 Typ N-kanálový 115 A 1200 V, SEMITRANS, počet kolíků: 7 kolíkový Panel 20 kHz 2

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 jednotka)*

2 095,83 Kč

(bez DPH)

2 535,95 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 1 jednotka/jednotek připraveno k odeslání
  • Plus 24 jednotka(y) budou odesílané od 12. března 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
1 - 12 095,83 Kč
2 - 41 988,84 Kč
5 - 91 881,89 Kč
10 - 191 676,64 Kč
20 +1 542,52 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
687-4961
Výrobní číslo:
SKM75GB12T4
Výrobce:
Semikron Danfoss
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Semikron Danfoss

Typ produktu

IGBT modul

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

115A

Maximální napětí kolektoru Vceo

1200V

Počet tranzistorů

2

Typ balení

SEMITRANS

Typ montáže

Panel

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

7

Spínací napětí

20kHz

Maximální napětí brány VGEO

20 V

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2.1V

Minimální provozní teplota

175°C

Maximální provozní teplota

-40°C

Délka

94mm

Normy/schválení

No

Řada

SKM75GB12T4

Šířka

34 mm

Výška

30.1mm

Automobilový standard

Ne

Duální moduly IGBT


Řada modulů SEMITOP® IGBT od společnosti Semikron, které obsahují dvě zařízení IGBT (poloviční můstek). Moduly jsou k dispozici v širokém rozsahu napětí a proudových hodnocení a jsou vhodné pro různé aplikace přepínání napájení, jako jsou pohony motorů invertoru střídavého proudu a zdroje nepřerušitelného napájení.

Kompaktní balíček SEMITOP®

Vhodné pro přepínání frekvencí až do 12 kHz

Izolovaná měděná základová deska pomocí přímé měděné technologie

IGBT moduly, Semikron


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy