Tranzistorový modul IGBT IKW50N65H5FKSA1 80 A 650 V, PG-TO247-3

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 tuba po 30 kusech)*

2 372,64 Kč

(bez DPH)

2 870,88 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 210 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za tubu*
30 - 3079,088 Kč2 372,64 Kč
60 - 12075,137 Kč2 254,11 Kč
150 +70,395 Kč2 111,85 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
259-1534
Výrobní číslo:
IKW50N65H5FKSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

80 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

650 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±20V

Maximální ztrátový výkon

305 W

Typ balení

PG-TO247-3

Vysokorychlostní IGBT5 od společnosti Infineon je opatřen rychlou a měkkou antiparalelní diodou RAPID 1 v pouzdru TO-247, která je definována jako „nejlepší IGBT ve své třídě“. Má nejlepší účinnost ve své třídě, což má za následek nižší teplotu spoje a pouzdra, což vede k vyšší spolehlivosti zařízení. Nárůst napětí sběrnice o 50 V je možný bez ohrožení spolehlivosti.

Průlomové napětí 650 V
V porovnání s nejlepší řadou HighSpeed 3 ve své třídě
Faktor 2,5 nižší Qg
2násobné snížení spínacích ztrát
Snížení o 200 mV v VCEsat
Společné balení s technologií Rapid Si-Diode
Nízká hodnota COES/EOSS
Mírný kladný teplotní koeficient VCEsa

Související odkazy