Infineon IGBT modul 50 A 650 V, PG-TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 tuba po 30 kusech)*

1 840,65 Kč

(bez DPH)

2 227,20 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 30 jednotka(y) budou odesílané od 23. března 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za tubu*
30 - 3061,355 Kč1 840,65 Kč
60 - 12058,284 Kč1 748,52 Kč
150 +55,83 Kč1 674,90 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
259-1532
Výrobní číslo:
IKW50N65F5FKSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

IGBT modul

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

50A

Maximální napětí kolektoru Vceo

650V

Maximální ztrátový výkon Pd

305W

Typ balení

PG-TO-247

Počet kolíků

3

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

1.6V

Maximální napětí brány VGEO

±20 ±30 V

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální provozní teplota

175°C

Řada

High Speed Fifth Generation

Normy/schválení

JEDEC, RoHS

Šířka

16.13 mm

Délka

41.42mm

Automobilový standard

Ne

Vysokorychlostní IGBT Infineon s tvrdým spínáním je součástí balení s rychlou a měkkou antiparalelní diodou RAPID 1 v pouzdru TO-247, která je definována jako „nejlepší IGBT ve své třídě“. Má nejlepší účinnost ve své třídě, což má za následek nižší teplotu spoje a pouzdra, což vede k vyšší spolehlivosti zařízení. Nárůst napětí sběrnice o 50 V je možný bez ohrožení spolehlivosti.

Průlomové napětí 650 V

V porovnání s nejlepší řadou HighSpeed 3 ve své třídě

Faktor 2,5 nižší Qg

2násobné snížení spínacích ztrát

Snížení o 200 mV v VCEsat

Společné balení s technologií Rapid Si-Diode

Nízká hodnota COES/EOSS

Mírný kladný teplotní koeficient VCEsa

Související odkazy