Tranzistorový modul IGBT IKW50N65F5FKSA1 80 A 650 V, PG-TO247-3
- Skladové číslo RS:
- 259-1533
- Výrobní číslo:
- IKW50N65F5FKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
192,46 Kč
(bez DPH)
232,88 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Skladem
- Plus 36 jednotka(y) budou odesílané od 06. ledna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 96,23 Kč | 192,46 Kč |
| 10 - 18 | 84,68 Kč | 169,36 Kč |
| 20 - 48 | 80,065 Kč | 160,13 Kč |
| 50 - 98 | 74,195 Kč | 148,39 Kč |
| 100 + | 68,225 Kč | 136,45 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 259-1533
- Výrobní číslo:
- IKW50N65F5FKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Maximální stejnosměrný proud kolektoru | 80 A | |
| Maximální napětí emitoru/kolektoru | 650 V | |
| Maximální napětí řídicí elektroda/emitor | ±20V | |
| Maximální ztrátový výkon | 305 W | |
| Typ balení | PG-TO247-3 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Maximální stejnosměrný proud kolektoru 80 A | ||
Maximální napětí emitoru/kolektoru 650 V | ||
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor ±20V | ||
Maximální ztrátový výkon 305 W | ||
Typ balení PG-TO247-3 | ||
Vysokorychlostní IGBT Infineon s tvrdým spínáním je součástí balení s rychlou a měkkou antiparalelní diodou RAPID 1 v pouzdru TO-247, která je definována jako „nejlepší IGBT ve své třídě“. Má nejlepší účinnost ve své třídě, což má za následek nižší teplotu spoje a pouzdra, což vede k vyšší spolehlivosti zařízení. Nárůst napětí sběrnice o 50 V je možný bez ohrožení spolehlivosti.
Průlomové napětí 650 V
V porovnání s nejlepší řadou HighSpeed 3 ve své třídě
Faktor 2,5 nižší Qg
2násobné snížení spínacích ztrát
Snížení o 200 mV v VCEsat
Společné balení s technologií Rapid Si-Diode
Nízká hodnota COES/EOSS
Mírný kladný teplotní koeficient VCEsa
V porovnání s nejlepší řadou HighSpeed 3 ve své třídě
Faktor 2,5 nižší Qg
2násobné snížení spínacích ztrát
Snížení o 200 mV v VCEsat
Společné balení s technologií Rapid Si-Diode
Nízká hodnota COES/EOSS
Mírný kladný teplotní koeficient VCEsa
Související odkazy
- Tranzistorový modul IGBT IKW50N65F5FKSA1 80 A 650 V, PG-TO247-3
- Tranzistorový modul IGBT IGW50N65F5FKSA1 80 A 650 V, PG-TO247-3
- Tranzistorový modul IGBT IKW50N65H5FKSA1 80 A 650 V, PG-TO247-3
- Tranzistorový modul IGBT 50 A 650 V, PG-TO247-3 2
- Tranzistorový modul IGBT 75 A 650 V, PG-TO247-3 2
- Tranzistorový modul IGBT IKW50N65RH5XKSA1 50 A 650 V, PG-TO247-3 2
- Tranzistorový modul IGBT IKW40N65RH5XKSA1 40 A 650 V, PG-TO247-3 2
- IGBT IKW75N65ET7XKSA1 650 V, PG-TO247-3