Tranzistorový modul IGBT IGW50N65F5FKSA1 80 A 650 V, PG-TO247-3
- Skladové číslo RS:
- 259-1527
- Výrobní číslo:
- IGW50N65F5FKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
266,11 Kč
(bez DPH)
321,994 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Skladem
- 188 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 133,055 Kč | 266,11 Kč |
| 10 - 18 | 119,795 Kč | 239,59 Kč |
| 20 - 48 | 111,645 Kč | 223,29 Kč |
| 50 - 98 | 103,985 Kč | 207,97 Kč |
| 100 + | 97,195 Kč | 194,39 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 259-1527
- Výrobní číslo:
- IGW50N65F5FKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Maximální stejnosměrný proud kolektoru | 80 A | |
| Maximální napětí emitoru/kolektoru | 650 V | |
| Maximální napětí řídicí elektroda/emitor | ±20V | |
| Maximální ztrátový výkon | 305 W | |
| Typ balení | PG-TO247-3 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Maximální stejnosměrný proud kolektoru 80 A | ||
Maximální napětí emitoru/kolektoru 650 V | ||
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor ±20V | ||
Maximální ztrátový výkon 305 W | ||
Typ balení PG-TO247-3 | ||
Nová technologie TRENCHSTOPIGBT od společnosti Infineon znovu definuje IGBT „nejlepší ve své třídě“ tím, že nabízí bezkonkurenční výkon z hlediska účinnosti pro aplikace s tvrdým spínáním. Nová řada představuje významný průlom v oblasti inovací IGBT pro splnění požadavků na vysokou účinnost trhu zítřka. Má nejlepší účinnost ve své třídě, což má za následek nižší teplotu spoje a pouzdra, což vede k vyšší spolehlivosti zařízení. Nárůst napětí sběrnice o 50 V je možný bez ohrožení spolehlivosti.
Průlomové napětí 650 V
V porovnání s nejlepší řadou HighSpeed 3 od společnosti Infineon
Faktor 2,5 nižší Q g
2násobné snížení spínacích ztrát
Snížení o 200 mV ve V CE(sat)
Nízká hodnota C OES/E OSS
Mírný kladný teplotní koeficient V CE(sat)
Teplotní stabilita
V porovnání s nejlepší řadou HighSpeed 3 od společnosti Infineon
Faktor 2,5 nižší Q g
2násobné snížení spínacích ztrát
Snížení o 200 mV ve V CE(sat)
Nízká hodnota C OES/E OSS
Mírný kladný teplotní koeficient V CE(sat)
Teplotní stabilita
Související odkazy
- Tranzistorový modul IGBT IGW50N65F5FKSA1 80 A 650 V, PG-TO247-3
- Tranzistorový modul IGBT IKW50N65H5FKSA1 80 A 650 V, PG-TO247-3
- Tranzistorový modul IGBT IKW50N65F5FKSA1 80 A 650 V, PG-TO247-3
- Tranzistorový modul IGBT 75 A 650 V, PG-TO247-3 2
- Tranzistorový modul IGBT 50 A 650 V, PG-TO247-3 2
- Tranzistorový modul IGBT IKW40N65RH5XKSA1 40 A 650 V, PG-TO247-3 2
- Tranzistorový modul IGBT IKW50N65RH5XKSA1 50 A 650 V, PG-TO247-3 2
- IGBT IHW50N65R5XKSA1 80 A 650 V počet kolíků: 3