Infineon IGBT modul IGW50N65F5FKSA1 50 A 650 V, PG-TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 2 kusech)*

200,32 Kč

(bez DPH)

242,38 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 182 jednotka(y) budou odesílané od 23. března 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za balení*
2 - 8100,16 Kč200,32 Kč
10 - 1890,155 Kč180,31 Kč
20 - 4884,225 Kč168,45 Kč
50 - 9878,30 Kč156,60 Kč
100 +73,11 Kč146,22 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
259-1527
Výrobní číslo:
IGW50N65F5FKSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

50A

Typ produktu

IGBT modul

Maximální napětí kolektoru Vceo

650V

Maximální ztrátový výkon Pd

305W

Typ balení

PG-TO-247

Počet kolíků

3

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

1.6V

Maximální napětí brány VGEO

±20 ±30 V

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

RoHS, JEDEC

Automobilový standard

Ne

Nová technologie TRENCHSTOPIGBT od společnosti Infineon znovu definuje IGBT „nejlepší ve své třídě“ tím, že nabízí bezkonkurenční výkon z hlediska účinnosti pro aplikace s tvrdým spínáním. Nová řada představuje významný průlom v oblasti inovací IGBT pro splnění požadavků na vysokou účinnost trhu zítřka. Má nejlepší účinnost ve své třídě, což má za následek nižší teplotu spoje a pouzdra, což vede k vyšší spolehlivosti zařízení. Nárůst napětí sběrnice o 50 V je možný bez ohrožení spolehlivosti.

Průlomové napětí 650 V

V porovnání s nejlepší řadou HighSpeed 3 od společnosti Infineon

Faktor 2,5 nižší Q g

2násobné snížení spínacích ztrát

Snížení o 200 mV ve V CE(sat)

Nízká hodnota C OES/E OSS

Mírný kladný teplotní koeficient V CE(sat)

Teplotní stabilita

Související odkazy