Infineon IGBT N-kanálový 80 A 650 V, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- Skladové číslo RS:
- 226-6116
- Výrobní číslo:
- IKW50N65EH5XKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 tuba po 30 kusech)*
2 278,83 Kč
(bez DPH)
2 757,39 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 150 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 75,961 Kč | 2 278,83 Kč |
| 60 - 120 | 72,173 Kč | 2 165,19 Kč |
| 150 + | 69,119 Kč | 2 073,57 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 226-6116
- Výrobní číslo:
- IKW50N65EH5XKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | IGBT | |
| Maximální trvalý kolektorový proud Ic | 80A | |
| Maximální napětí kolektoru Vceo | 650V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 275W | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Typ kanálu | N | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální napětí brány VGEO | 30 V | |
| Minimální provozní teplota | -40°C | |
| Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT | 1.65V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 41.42mm | |
| Normy/schválení | JEDEC | |
| Řada | High Speed Fifth Generation | |
| Šířka | 16.13mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu IGBT | ||
Maximální trvalý kolektorový proud Ic 80A | ||
Maximální napětí kolektoru Vceo 650V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 275W | ||
Typ balení TO-247 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Typ kanálu N | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální napětí brány VGEO 30 V | ||
Minimální provozní teplota -40°C | ||
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT 1.65V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 41.42mm | ||
Normy/schválení JEDEC | ||
Řada High Speed Fifth Generation | ||
Šířka 16.13mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Vysokorychlostní Infineon pátá generace řady IGBT, maximální napětí emitujícího kolektoru 650 V, maximální nepřetržitý proud kolektoru 80 A – IKW50N65EH5XKSA1
Tento IGBT je výkonové polovodičové zařízení navržené pro spínání a řízení vysokonapěťových a vysokoproudých zátěží v napájecích elektronických systémech. Je určen pro aplikace vyžadující robustní tepelný rozsah a významnou manipulaci s nepřetržitým proudem a je dodáván v pouzdru TO-247 s průchozím otvorem, který je vhodný pro konvenční montáž a chladiče.
Charakteristiky a výhody:
• Jmenovité hodnoty kolektor-emitor 650 V umožňují manipulaci s vysokonapěťovými obvody
• Nepřetržitý kolektorový proud 80 A podporuje aplikace s velkým zatížením
• 1,65 V Vce(sat) snižuje ztráty při vedení při vysokém průtoku proudu
• Rozptýlení výkonu 275 W umožňuje trvalé tepelné zatížení při provozu
• Maximální hodnota emitoru hradla 30 V umožňuje velké rozpětí pohonu hradla
• Pracuje v rozsahu -40 °C až 175 °C pro široké teplotní prostředí
• Nepřetržitý kolektorový proud 80 A podporuje aplikace s velkým zatížením
• 1,65 V Vce(sat) snižuje ztráty při vedení při vysokém průtoku proudu
• Rozptýlení výkonu 275 W umožňuje trvalé tepelné zatížení při provozu
• Maximální hodnota emitoru hradla 30 V umožňuje velké rozpětí pohonu hradla
• Pracuje v rozsahu -40 °C až 175 °C pro široké teplotní prostředí
Aplikace
• Vhodné pro invertorové stupně v průmyslových pohonech
• Ideální pro vysokonapěťové moduly pro převod napájení
• Používá se s velkými regulátory motorů vyžadujícími vysoký proud
• Lze použít pro spínané napájecí zdroje v náročných systémech
• Vhodné pro napájecí elektroniku pro montáž do racku s montáží průchozím otvorem
• Ideální pro vysokonapěťové moduly pro převod napájení
• Používá se s velkými regulátory motorů vyžadujícími vysoký proud
• Lze použít pro spínané napájecí zdroje v náročných systémech
• Vhodné pro napájecí elektroniku pro montáž do racku s montáží průchozím otvorem
Jaké pouzdro a montážní metoda používá?
Dodává se v pouzdru TO-247 a je navržen pro montáž do průchozího otvoru.
Jaké limity hradla je třeba dodržovat, abych zabránil poškození?
Napětí emitoru brány nesmí za žádných provozních podmínek překročit 30 V.
Jak se chová při zvýšených okolních teplotách?
Je určen pro provoz při teplotě až 175 °C, se specifikovaným ztrátovým výkonem až 275 W pro řízení tepelné zátěže.
Je vhodný pro konstrukce podle automobilového standardu?
Není klasifikován podle automobilových norem a nelze předpokládat, že je v souladu s těmito aplikacemi.
Související odkazy
- Infineon IGBT IKW50N65EH5XKSA1 N-kanálový 80 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- Infineon IGBT N-kanálový 80 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- Infineon IGBT IGW50N65H5FKSA1 N-kanálový 80 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- Infineon IGBT N-kanálový 80 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 30 kHz
- Infineon IGBT IKW50N65ES5XKSA1 N-kanálový 80 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 30 kHz
- Infineon IGBT IKW75N65ES5XKSA1 N-kanálový 80 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 30 kHz
- Infineon Reverzně vodivý IGBT IHW50N65R5XKSA1 N-kanálový 80 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- Infineon IGBT IKZA50N65EH7XKSA1 N-kanálový 80 A 650 V počet kolíků: 4 kolíkový Průchozí otvor