Infineon Reverzně vodivý IGBT IHW50N65R5XKSA1 Typ N-kanálový 80 A 650 V, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 2 kusech)*

149,44 Kč

(bez DPH)

180,82 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později

Ks
za jednotku
za balení*
2 - 1874,72 Kč149,44 Kč
20 - 4867,43 Kč134,86 Kč
50 - 9862,86 Kč125,72 Kč
100 - 19858,29 Kč116,58 Kč
200 +37,295 Kč74,59 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
215-6646
Výrobní číslo:
IHW50N65R5XKSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

80A

Typ produktu

Reverzně vodivý IGBT

Maximální napětí kolektoru Vceo

650V

Maximální ztrátový výkon Pd

282W

Typ balení

TO-247

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

1.35V

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální napětí brány VGEO

20 V

Maximální provozní teplota

175°C

Řada

Resonant Switching

Normy/schválení

Pb-free lead plating, RoHS, JESD-022

Automobilový standard

Ne

Infineon reverzní vedení izolované-gate bipolární tranzistor s monolitickou tělní diodou.

Vysoká účinnost

Nízké ztráty spínání

Vyšší spolehlivost

Nízká elektromagnetická interference

Související odkazy