MPN

IGBT IHW30N65R6XKSA1 65 A 650 V, PG-TO247-3, počet kolíků: 3

Skladové číslo RS:: 225-0571
Výrobní číslo:: IHW30N65R6XKSA1
Výrobce:: Infineon

IGBT IHW30N65R6XKSA1 65 A 650 V, PG-TO247-3, počet kolíků: 3

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 tuba po 240 kusech)*

6 772,32 Kč

(bez DPH)

8 194,56 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč

Dočasně vyprodáno

Odeslání od 15. července 2026

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za tubu*
240 - 240	28,218 Kč	6 772,32 Kč
480 - 480	26,807 Kč	6 433,68 Kč
720 +	25,114 Kč	6 027,36 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 225-0571
Výrobní číslo:: IHW30N65R6XKSA1
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Maximální stejnosměrný proud kolektoru	65 A
	Maximální napětí emitoru/kolektoru	650 V
	Maximální napětí řídicí elektroda/emitor	±30V
	Maximální ztrátový výkon	160 W
	Typ balení	PG-TO247-3
	Počet kolíků	3

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Maximální stejnosměrný proud kolektoru 65 A
	Maximální napětí emitoru/kolektoru 650 V
	Maximální napětí řídicí elektroda/emitor ±30V
	Maximální ztrátový výkon 160 W
	Typ balení PG-TO247-3
	Počet kolíků 3

Datasheet-IHW30N65R6XKSA1

Infineon IHW30N65R6 je 650 v, 30 A IGBT s monoliticky integrovanou diodou v BALENÍ TO-247 s monoliticky integrovanou diodou je navržen tak, aby splňoval náročné požadavky aplikací indukčního ohřevu pomocí rezonanční topologie Half-bridge.

Vysoká odolnost a stabilní teplotní chování
Nízká hodnota EMI
Povrchová vrstva bez obsahu olova, splňuje směrnici RoHS
Výkonná monolitická reverzní dioda s nízkým napětím pro jízdu vpřed

IGBT IHW30N65R6XKSA1 65 A 650 V, PG-TO247-3, počet kolíků: 3

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč

Související odkazy