MPN

IGBT IHW50N65R6XKSA1 83 A 650 V, PG-TO247-3, počet kolíků: 3

Skladové číslo RS:: 225-0575
Výrobní číslo:: IHW50N65R6XKSA1
Výrobce:: Infineon

IGBT IHW50N65R6XKSA1 83 A 650 V, PG-TO247-3, počet kolíků: 3

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 tuba po 240 kusech)*

9 802,56 Kč

(bez DPH)

11 861,04 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč

Dočasně vyprodáno

Odeslání od 13. července 2026

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za tubu*
240 - 240	40,844 Kč	9 802,56 Kč
480 +	38,802 Kč	9 312,48 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 225-0575
Výrobní číslo:: IHW50N65R6XKSA1
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Maximální stejnosměrný proud kolektoru	83 A
	Maximální napětí emitoru/kolektoru	650 V
	Maximální napětí řídicí elektroda/emitor	±20V
	Maximální ztrátový výkon	251 W.
	Typ balení	PG-TO247-3
	Počet kolíků	3

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Maximální stejnosměrný proud kolektoru 83 A
	Maximální napětí emitoru/kolektoru 650 V
	Maximální napětí řídicí elektroda/emitor ±20V
	Maximální ztrátový výkon 251 W.
	Typ balení PG-TO247-3
	Počet kolíků 3

Datasheet-IHW50N65R6XKSA1

Infineon IHW50N65R6 je 650 v, 50 A IGBT s monoliticky integrovanou diodou v BALENÍ TO-247 s monoliticky integrovanou diodou je navržen tak, aby splňoval náročné požadavky aplikací indukčního ohřevu pomocí rezonanční topologie Half-bridge.

Frekvenční rozsah 20-75 kHz
Nízká hodnota EMI
Velmi přesná struktura parametrů
Maximální provozní TJ 175 °C.

IGBT IHW50N65R6XKSA1 83 A 650 V, PG-TO247-3, počet kolíků: 3

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč

Související odkazy

Recently viewed