Infineon Reverzně vodivý IGBT Typ N-kanálový 80 A 650 V, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- Skladové číslo RS:
- 215-6645
- Výrobní číslo:
- IHW50N65R5XKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 tuba po 30 kusech)*
1 259,10 Kč
(bez DPH)
1 523,40 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 18. ledna 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 41,97 Kč | 1 259,10 Kč |
| 60 - 120 | 39,876 Kč | 1 196,28 Kč |
| 150 - 270 | 38,189 Kč | 1 145,67 Kč |
| 300 - 570 | 36,516 Kč | 1 095,48 Kč |
| 600 + | 33,994 Kč | 1 019,82 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 215-6645
- Výrobní číslo:
- IHW50N65R5XKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | Reverzně vodivý IGBT | |
| Maximální trvalý kolektorový proud Ic | 80A | |
| Maximální napětí kolektoru Vceo | 650V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 282W | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální napětí brány VGEO | 20 V | |
| Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT | 1.35V | |
| Minimální provozní teplota | -40°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | Pb-free lead plating, RoHS, JESD-022 | |
| Řada | Resonant Switching | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu Reverzně vodivý IGBT | ||
Maximální trvalý kolektorový proud Ic 80A | ||
Maximální napětí kolektoru Vceo 650V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 282W | ||
Typ balení TO-247 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální napětí brány VGEO 20 V | ||
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT 1.35V | ||
Minimální provozní teplota -40°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení Pb-free lead plating, RoHS, JESD-022 | ||
Řada Resonant Switching | ||
Automobilový standard Ne | ||
Infineon reverzní vedení izolované-gate bipolární tranzistor s monolitickou tělní diodou.
Vysoká účinnost
Nízké ztráty spínání
Vyšší spolehlivost
Nízká elektromagnetická interference
Související odkazy
- Infineon Reverzně vodivý IGBT IHW50N65R5XKSA1 Typ N-kanálový 80 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- Infineon Reverzně vodivý IGBT Typ N-kanálový 83 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- Infineon Reverzně vodivý IGBT Typ N-kanálový 65 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- Infineon Reverzně vodivý IGBT IHW50N65R6XKSA1 Typ N-kanálový 83 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- Infineon Reverzně vodivý IGBT IHW30N65R6XKSA1 Typ N-kanálový 65 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- Infineon Reverzně vodivý IGBT IHW40N135R5XKSA1 Typ N-kanálový 80 A 1350 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí
- Infineon Reverzně vodivý IGBT Typ N-kanálový 80 A 1350 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- Infineon IGBT 80 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový