Infineon Reverzně vodivý IGBT Typ N-kanálový 80 A 650 V, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 tuba po 30 kusech)*

1 547,22 Kč

(bez DPH)

1 872,15 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 10. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za tubu*
30 - 3051,574 Kč1 547,22 Kč
60 - 12048,997 Kč1 469,91 Kč
150 - 27046,93 Kč1 407,90 Kč
300 - 57044,872 Kč1 346,16 Kč
600 +41,776 Kč1 253,28 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
215-6645
Výrobní číslo:
IHW50N65R5XKSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

Reverzně vodivý IGBT

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

80A

Maximální napětí kolektoru Vceo

650V

Maximální ztrátový výkon Pd

282W

Typ balení

TO-247

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

1.35V

Maximální napětí brány VGEO

20 V

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

Pb-free lead plating, RoHS, JESD-022

Řada

Resonant Switching

Automobilový standard

Ne

Infineon reverzní vedení izolované-gate bipolární tranzistor s monolitickou tělní diodou.

Vysoká účinnost

Nízké ztráty spínání

Vyšší spolehlivost

Nízká elektromagnetická interference

Související odkazy