Infineon IGBT Typ N-kanálový 80 A 650 V, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 30 kHz

Zobrazit vše v kategorii IGBT

Mezisoučet (1 tuba po 240 kusech)*

14 725,20 Kč

(bez DPH)

17 817,60 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později
Ks
za jednotku
za tubu*
240 +61,355 Kč14 725,20 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
133-8575
Výrobní číslo:
IKW50N65ES5XKSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

IGBT

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

80A

Maximální napětí kolektoru Vceo

650V

Maximální ztrátový výkon Pd

274W

Typ balení

TO-247

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Spínací napětí

30kHz

Maximální napětí brány VGEO

20 V

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

1.7V

Maximální provozní teplota

175°C

Řada

TrenchStop

Normy/schválení

No

Automobilový standard

Ne

Jmenovitá energie

1.78mJ

Země původu (Country of Origin):
CN

Infineon TrenchStop IGBT tranzistory, 600 a 650


Řada IGBT tranzistorů od Infineon s napěťovým stupněním sběračů 600 a 650 V vybavených technologií TrenchStop™. Tato řada zahrnuje zařízení s integrovanou antiparalelní diodou pro vysokou rychlost obnovy.

• Rozsah napětí kolektoru-emitoru 600 až 650 V.

• Velmi nízký VCEsat

• Nízké ztráty při vypnutí

• Krátký proud zadních výklopných dveří

• Nízká EMI

• Maximální teplota spoje 175 °C.

IGBT Discretes & Modules Infineon


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy