IGBT IKW30N65ES5XKSA1 N-kanálový 62 A 650 V, TO-247, počet kolíků: 3 30kHz 1 Jednoduchý

Skladové číslo RS:: 144-1201
Výrobní číslo:: IKW30N65ES5XKSA1
Výrobce:: Infineon

IGBT IKW30N65ES5XKSA1 N-kanálový 62 A 650 V, TO-247, počet kolíků: 3 30kHz 1 Jednoduchý

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 10 kusech)*

867,54 Kč

(bez DPH)

1 049,72 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč

Dočasně vyprodáno

Odeslání od 11. června 2026

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za balení*
10 - 10	86,754 Kč	867,54 Kč
20 - 40	82,449 Kč	824,49 Kč
50 - 90	78,941 Kč	789,41 Kč
100 - 240	75,483 Kč	754,83 Kč
250 +	70,272 Kč	702,72 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 144-1201
Výrobní číslo:: IKW30N65ES5XKSA1
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Maximální stejnosměrný proud kolektoru	62 A
	Maximální napětí emitoru/kolektoru	650 V
	Maximální napětí řídicí elektroda/emitor	±20 V, ±30V
	Počet tranzistorů	1
	Maximální ztrátový výkon	188 W
	Typ balení	TO-247
	Typ montáže	Průchozí otvor
	Typ kanálu	N
	Počet kolíků	3
	Rychlost spínání	30kHz
	Konfigurace tranzistoru	Jednoduchý
	Rozměry	16.13 x 5.21 x 21.1mm
	Minimální provozní teplota	-40 °C
	Maximální pracovní teplota	+175 °C
	Kapacitance hradla	1800pF
	Jmenovitá energie	0.88mJ

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Maximální stejnosměrný proud kolektoru 62 A
	Maximální napětí emitoru/kolektoru 650 V
	Maximální napětí řídicí elektroda/emitor ±20 V, ±30V
	Počet tranzistorů 1
	Maximální ztrátový výkon 188 W
	Typ balení TO-247
	Typ montáže Průchozí otvor
	Typ kanálu N
	Počet kolíků 3
	Rychlost spínání 30kHz
	Konfigurace tranzistoru Jednoduchý
	Rozměry 16.13 x 5.21 x 21.1mm
	Minimální provozní teplota -40 °C
	Maximální pracovní teplota +175 °C
	Kapacitance hradla 1800pF
	Jmenovitá energie 0.88mJ

Infineon TrenchStop IGBT tranzistory, 600 a 650

Řada IGBT tranzistorů od Infineon s napěťovým stupněním sběračů 600 a 650 V vybavených technologií TrenchStop™. Tato řada zahrnuje zařízení s integrovanou antiparalelní diodou pro vysokou rychlost obnovy.

• Rozsah napětí kolektoru-emitoru 600 až 650 V.
• Velmi nízký VCEsat
• Nízké ztráty při vypnutí
• Krátký proud zadních výklopných dveří
• Nízká EMI
• Maximální teplota spoje 175 °C.

IGBT Discretes & Modules Infineon

Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

IGBT IKW30N65ES5XKSA1 N-kanálový 62 A 650 V, TO-247, počet kolíků: 3 30kHz 1 Jednoduchý

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč

Infineon TrenchStop IGBT tranzistory, 600 a 650

Související odkazy