Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT Typ N-kanálový 85 A 650 V, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí
- Skladové číslo RS:
- 226-6112
- Výrobní číslo:
- IKW30N65EL5XKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 tuba po 30 kusech)*
2 320,56 Kč
(bez DPH)
2 807,88 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 540 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 77,352 Kč | 2 320,56 Kč |
| 60 - 120 | 73,491 Kč | 2 204,73 Kč |
| 150 + | 70,387 Kč | 2 111,61 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 226-6112
- Výrobní číslo:
- IKW30N65EL5XKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT | |
| Maximální trvalý kolektorový proud Ic | 85A | |
| Maximální napětí kolektoru Vceo | 650V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 227W | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT | 1.5V | |
| Maximální napětí brány VGEO | 30 V | |
| Minimální provozní teplota | -40°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 5.3mm | |
| Normy/schválení | JEDEC | |
| Délka | 41.9mm | |
| Řada | LowVCE(sat) Fifth Generation | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT | ||
Maximální trvalý kolektorový proud Ic 85A | ||
Maximální napětí kolektoru Vceo 650V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 227W | ||
Typ balení TO-247 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT 1.5V | ||
Maximální napětí brány VGEO 30 V | ||
Minimální provozní teplota -40°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 5.3mm | ||
Normy/schválení JEDEC | ||
Délka 41.9mm | ||
Řada LowVCE(sat) Fifth Generation | ||
Automobilový standard Ne | ||
Infineon IKW30N65EL5 má 650 v poruchové napětí používá velmi nízké napětí kolektoru emitoru nasycení a vyšší účinnost pro 50Hz. Má delší životnost a vyšší spolehlivost IGBT.
Nízké nabití hradla QG
Maximální teplota spoje 175 °C.
Kvalifikováno podle JEDEC pro cílové aplikace
Související odkazy
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT IKW30N65EL5XKSA1 Typ N-kanálový 85 A 650 V počet kolíků: 3
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT 75 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT IKW75N65RH5XKSA1 75 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový
- Infineon TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový
- Infineon TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový
- Infineon TO-247, počet kolíků: 3
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT IHW30N65R5XKSA1 Typ N-kanálový 60 A 650 V počet kolíků: 3
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT IKB40N65EH5ATMA1 Typ N-kanálový 74 A 650 V počet kolíků: 3