Infineon IGBT IGB50N65H5ATMA1 N-kanálový 50 A 650 V, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Povrch 1
- Skladové číslo RS:
- 218-4390
- Výrobní číslo:
- IGB50N65H5ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
412,00 Kč
(bez DPH)
498,50 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 2 970 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 82,40 Kč | 412,00 Kč |
| 25 - 45 | 74,10 Kč | 370,50 Kč |
| 50 - 120 | 69,258 Kč | 346,29 Kč |
| 125 - 245 | 64,318 Kč | 321,59 Kč |
| 250 + | 59,33 Kč | 296,65 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 218-4390
- Výrobní číslo:
- IGB50N65H5ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Maximální trvalý kolektorový proud Ic | 50A | |
| Typ produktu | IGBT | |
| Maximální napětí kolektoru Vceo | 650V | |
| Počet tranzistorů | 1 | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 270W | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Typ kanálu | N | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Minimální provozní teplota | -40°C | |
| Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT | 1.65V | |
| Maximální napětí brány VGEO | ±20 ±30 V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Řada | High Speed Fifth Generation | |
| Šířka | 9.45mm | |
| Výška | 4.57mm | |
| Délka | 10.31mm | |
| Normy/schválení | JEDEC47/20/22 | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Maximální trvalý kolektorový proud Ic 50A | ||
Typ produktu IGBT | ||
Maximální napětí kolektoru Vceo 650V | ||
Počet tranzistorů 1 | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 270W | ||
Typ balení TO-263 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Typ kanálu N | ||
Počet kolíků 3 | ||
Minimální provozní teplota -40°C | ||
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT 1.65V | ||
Maximální napětí brány VGEO ±20 ±30 V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Řada High Speed Fifth Generation | ||
Šířka 9.45mm | ||
Výška 4.57mm | ||
Délka 10.31mm | ||
Normy/schválení JEDEC47/20/22 | ||
Automobilový standard Ne | ||
Technologie Infineon TRENCHSTOP IGBT5 nově definuje nejlepší IGBT ve své třídě, což vede k nižší teplotě spoje a skříně, což vede k vyšší spolehlivosti zařízení tím, že poskytuje bezkonkurenční výkon z hlediska účinnosti pro aplikace s tvrdým přepínáním. Má kolektor emitor napětí 650 v a kolektor proud 80 A.
Konstrukce s vyšší hustotou výkonu
50V zvýšení napětí sběrnice možné bez snížení spolehlivosti
Mírný kladný teplotní koeficient
Související odkazy
- Infineon IGBT Typ N-kanálový 50 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Povrch 1
- Infineon IGBT Typ N-kanálový 80 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Povrch
- Infineon IGBT Typ N-kanálový 40 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- Infineon IGBT IGB50N65S5ATMA1 Typ N-kanálový 80 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Povrch
- Infineon IGBT IGB20N65S5ATMA1 Typ N-kanálový 40 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT IKB40N65ES5ATMA1 Typ N-kanálový 79 A 650 V počet kolíků: 3
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT IKB40N65EF5ATMA1 Typ N-kanálový 74 A 650 V počet kolíků: 3
- Infineon Jednoduchý tranzistorový IO obvod IGBT IKB15N65EH5ATMA1 Typ N-kanálový 30 A 650 V počet kolíků: 3
