Infineon IGBT IGB50N65H5ATMA1 N-kanálový 50 A 650 V, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Povrch 1

Zobrazit vše v kategorii IGBT

Mezisoučet (1 naviják po 1000 kusech)*

28 721,00 Kč

(bez DPH)

34 752,00 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 2 000 jednotka(y) budou odesílané od 13. listopadu 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za cívku*
1000 +28,721 Kč28 721,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
218-4389
Výrobní číslo:
IGB50N65H5ATMA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

50A

Typ produktu

IGBT

Maximální napětí kolektoru Vceo

650V

Počet tranzistorů

1

Maximální ztrátový výkon Pd

270W

Typ balení

TO-263

Typ montáže

Povrch

Typ kanálu

N

Počet kolíků

3

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální napětí brány VGEO

±20 ±30 V

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

1.65V

Maximální provozní teplota

175°C

Řada

High Speed Fifth Generation

Šířka

9.45mm

Normy/schválení

JEDEC47/20/22

Délka

10.31mm

Výška

4.57mm

Automobilový standard

Ne

Technologie Infineon TRENCHSTOP IGBT5 nově definuje nejlepší IGBT ve své třídě, což vede k nižší teplotě spoje a skříně, což vede k vyšší spolehlivosti zařízení tím, že poskytuje bezkonkurenční výkon z hlediska účinnosti pro aplikace s tvrdým přepínáním. Má kolektor emitor napětí 650 v a kolektor proud 80 A.

Konstrukce s vyšší hustotou výkonu

50V zvýšení napětí sběrnice možné bez snížení spolehlivosti

Mírný kladný teplotní koeficient

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.