Infineon IGBT Typ N-kanálový 8 A 1200 V, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 20 kHz

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 tuba po 30 kusech)*

1 982,91 Kč

(bez DPH)

2 399,31 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Informace o zásobách jsou momentálně nedostupné
Ks
za jednotku
za tubu*
30 - 3066,097 Kč1 982,91 Kč
60 - 12062,796 Kč1 883,88 Kč
150 - 27060,153 Kč1 804,59 Kč
300 - 57056,184 Kč1 685,52 Kč
600 +52,874 Kč1 586,22 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
145-8706
Výrobní číslo:
IKW08T120FKSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

8A

Typ produktu

IGBT

Maximální napětí kolektoru Vceo

1200V

Maximální ztrátový výkon Pd

70W

Typ balení

TO-247

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Spínací napětí

20kHz

Maximální napětí brány VGEO

20 V

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2.2V

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

Pb-free lead plating, RoHS, JEDEC1

Řada

TrenchStop

Jmenovitá energie

2.28mJ

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
CN

Infineon TrenchStop IGBT tranzistory, 1 100 až 1 600


Řada IGBT tranzistorů od společnosti Infineon s jmenovitým napětím sběračů 1100 až 1600 V vybavených technologií TrenchStop™. Tato řada zahrnuje zařízení s integrovanou antiparalelní diodou pro vysokou rychlost obnovy.

• Rozsah napětí sběračů-emitoru od 1100 do 1600V.

• Velmi nízký VCEsat

• Nízké ztráty při vypnutí

• Krátký proud zadních výklopných dveří

• Nízká EMI

• Maximální teplota spoje 175 °C.

IGBT Discretes & Modules Infineon


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy