IGBT IKW25N120H3FKSA1 N-kanálový 50 A 1200 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 tuba po 30 kusech)*

2 658,72 Kč

(bez DPH)

3 217,05 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 60 jednotka(y) budou odesílané od 26. ledna 2026
  • Plus 210 jednotka(y) budou odesílané od 23. dubna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za tubu*
30 - 3088,624 Kč2 658,72 Kč
60 - 12084,186 Kč2 525,58 Kč
150 +80,654 Kč2 419,62 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
165-8131
Výrobní číslo:
IKW25N120H3FKSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

50 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

1200 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±20V

Maximální ztrátový výkon

326 W

Typ balení

TO-247

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

N

Počet kolíků

3

Konfigurace tranzistoru

Jednoduchý

Rozměry

16.13 x 5.21 x 21.1mm

Jmenovitá energie

4.3mJ

Kapacitance hradla

1430pF

Maximální pracovní teplota

+175 °C

Minimální provozní teplota

-40 °C

Země původu (Country of Origin):
MY

Infineon TrenchStop IGBT tranzistory, 1 100 až 1 600


Řada IGBT tranzistorů od společnosti Infineon s jmenovitým napětím sběračů 1100 až 1600 V vybavených technologií TrenchStop™. Tato řada zahrnuje zařízení s integrovanou antiparalelní diodou pro vysokou rychlost obnovy.

• Rozsah napětí sběračů-emitoru od 1100 do 1600V.
• Velmi nízký VCEsat
• Nízké ztráty při vypnutí
• Krátký proud zadních výklopných dveří
• Nízká EMI
• Maximální teplota spoje 175 °C.


IGBT Discretes & Modules Infineon


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy