IGBT IKW25N120T2FKSA1 N-kanálový 50 A 1200 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý

Skladové číslo RS:: 165-8176
Výrobní číslo:: IKW25N120T2FKSA1
Výrobce:: Infineon

IGBT IKW25N120T2FKSA1 N-kanálový 50 A 1200 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 tuba po 30 kusech)*

2 240,79 Kč

(bez DPH)

2 711,37 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč

Skladem

120 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za tubu*
30 - 30	74,693 Kč	2 240,79 Kč
60 - 120	70,955 Kč	2 128,65 Kč
150 +	67,974 Kč	2 039,22 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 165-8176
Výrobní číslo:: IKW25N120T2FKSA1
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Maximální stejnosměrný proud kolektoru	50 A
	Maximální napětí emitoru/kolektoru	1200 V
	Maximální napětí řídicí elektroda/emitor	±20V
	Maximální ztrátový výkon	349 W
	Typ balení	TO-247
	Typ montáže	Průchozí otvor
	Typ kanálu	N
	Počet kolíků	3
	Konfigurace tranzistoru	Jednoduchý
	Rozměry	16.13 x 5.21 x 21.1mm
	Minimální provozní teplota	-40 °C
	Maximální pracovní teplota	+175 °C
	Jmenovitá energie	4.3mJ
	Kapacitance hradla	1600pF

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Maximální stejnosměrný proud kolektoru 50 A
	Maximální napětí emitoru/kolektoru 1200 V
	Maximální napětí řídicí elektroda/emitor ±20V
	Maximální ztrátový výkon 349 W
	Typ balení TO-247
	Typ montáže Průchozí otvor
	Typ kanálu N
	Počet kolíků 3
	Konfigurace tranzistoru Jednoduchý
	Rozměry 16.13 x 5.21 x 21.1mm
	Minimální provozní teplota -40 °C
	Maximální pracovní teplota +175 °C
	Jmenovitá energie 4.3mJ
	Kapacitance hradla 1600pF

Země původu (Country of Origin):: CN

Infineon TrenchStop IGBT tranzistory, 1 100 až 1 600

Řada IGBT tranzistorů od společnosti Infineon s jmenovitým napětím sběračů 1100 až 1600 V vybavených technologií TrenchStop™. Tato řada zahrnuje zařízení s integrovanou antiparalelní diodou pro vysokou rychlost obnovy.

• Rozsah napětí sběračů-emitoru od 1100 do 1600V.
• Velmi nízký VCEsat
• Nízké ztráty při vypnutí
• Krátký proud zadních výklopných dveří
• Nízká EMI
• Maximální teplota spoje 175 °C.

IGBT Discretes & Modules Infineon

Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

IGBT IKW25N120T2FKSA1 N-kanálový 50 A 1200 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč

Infineon TrenchStop IGBT tranzistory, 1 100 až 1 600

Související odkazy