Infineon IGBT IKQ75N120CT2XKSA1 Typ P-kanálový 150 A 1200 V, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 20 kHz

Skladové číslo RS:: 162-3324
Výrobní číslo:: IKQ75N120CT2XKSA1
Výrobce:: Infineon

Infineon IGBT IKQ75N120CT2XKSA1 Typ P-kanálový 150 A 1200 V, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 20 kHz

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 jednotka)*

299,86 Kč

(bez DPH)

362,83 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč

Skladem

8 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku
1 - 4	299,86 Kč
5 - 9	264,04 Kč
10 - 24	246,01 Kč
25 - 49	230,95 Kč
50 +	222,05 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 162-3324
Výrobní číslo:: IKQ75N120CT2XKSA1
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Maximální trvalý kolektorový proud Ic	150A
	Typ produktu	IGBT
	Maximální napětí kolektoru Vceo	1200V
	Maximální ztrátový výkon Pd	938W
	Typ balení	TO-247
	Typ montáže	Průchozí otvor
	Typ kanálu	Typ P
	Počet kolíků	3
	Spínací napětí	20kHz
	Minimální provozní teplota	-40°C
	Maximální napětí brány VGEO	20 V
	Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT	2.15V
	Maximální provozní teplota	175°C
	Normy/schválení	No
	Řada	TrenchStop
	Jmenovitá energie	10.8mJ
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Maximální trvalý kolektorový proud Ic 150A
	Typ produktu IGBT
	Maximální napětí kolektoru Vceo 1200V
	Maximální ztrátový výkon Pd 938W
	Typ balení TO-247
	Typ montáže Průchozí otvor
	Typ kanálu Typ P
	Počet kolíků 3
	Spínací napětí 20kHz
	Minimální provozní teplota -40°C
	Maximální napětí brány VGEO 20 V
	Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT 2.15V
	Maximální provozní teplota 175°C
	Normy/schválení No
	Řada TrenchStop
	Jmenovitá energie 10.8mJ
	Automobilový standard Ne

V reakci na tržní požadavky na stále větší množstvím silikonu v menších, prostorově úsporných pouzdrech představuje společnost Infineon nové pouzdro TO-247PLUS pro 1200V IGBT. Vyšší proudová kapacita, lepší tepelné parametry. Pouzdro TO-247PLUS má stejné vnější rozměry jako průmyslový standard TO-247, ale protože nemá otvor pro šroub, umožňuje použití IGBT až 75 A 1200 V v jednom pouzdro s diodou 75 A.

Vysoká výkonová hustota – IGBT až 75 A 1200 V v jednom pouzdru s diodou 75 A na půdorysu TO-247

O 20 % nižší hodnota R th(jh) v porovnání s TO-247 se 3 piny

Prodloužená povrchová vzdálenost kolektor-emitor 4,25 mm

Větší povrchová vzdálenost díky plně zapouzdřenému čelu pouzdra

Vyšší systémová výkonová hustota – vyšší I c při stejných systémových teplotních parametrech

Nižší tepelný odpor R th(jh) a o cca 15 % účinnější rozptyl tepla u TO-247PLUS oproti TO-247

Vyšší spolehlivost, delší životnost zařízení

Infineon IGBT IKQ75N120CT2XKSA1 Typ P-kanálový 150 A 1200 V, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 20 kHz

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč

Související odkazy