Infineon IGBT IKW40N65H5FKSA1 Typ N-kanálový 40 A 650 V, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- Skladové číslo RS:
- 110-7779
- Výrobní číslo:
- IKW40N65H5FKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 4 kusech)*
410,272 Kč
(bez DPH)
496,428 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 30. října 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 4 - 16 | 102,568 Kč | 410,27 Kč |
| 20 - 36 | 93,365 Kč | 373,46 Kč |
| 40 - 96 | 87,315 Kč | 349,26 Kč |
| 100 - 196 | 81,078 Kč | 324,31 Kč |
| 200 + | 74,84 Kč | 299,36 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 110-7779
- Výrobní číslo:
- IKW40N65H5FKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | IGBT | |
| Maximální trvalý kolektorový proud Ic | 40A | |
| Maximální napětí kolektoru Vceo | 650V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 250W | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální napětí brány VGEO | ±20 V | |
| Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT | 2.1V | |
| Minimální provozní teplota | -40°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Řada | High Speed Fifth Generation | |
| Normy/schválení | JEDEC, RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Jmenovitá energie | 0.51mJ | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu IGBT | ||
Maximální trvalý kolektorový proud Ic 40A | ||
Maximální napětí kolektoru Vceo 650V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 250W | ||
Typ balení TO-247 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální napětí brány VGEO ±20 V | ||
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT 2.1V | ||
Minimální provozní teplota -40°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Řada High Speed Fifth Generation | ||
Normy/schválení JEDEC, RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
Jmenovitá energie 0.51mJ | ||
Infineon TrenchStop IGBT tranzistory, 600 a 650
Řada IGBT tranzistorů od Infineon s napěťovým stupněním sběračů 600 a 650 V vybavených technologií TrenchStop™. Tato řada zahrnuje zařízení s integrovanou antiparalelní diodou pro vysokou rychlost obnovy.
• Rozsah napětí kolektoru-emitoru 600 až 650 V.
• Velmi nízký VCEsat
• Nízké ztráty při vypnutí
• Krátký proud zadních výklopných dveří
• Nízká EMI
• Maximální teplota spoje 175 °C.
IGBT Discretes & Modules Infineon
Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.
Související odkazy
- Infineon IGBT Typ N-kanálový 40 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- Infineon IGBT Typ N-kanálový 100 A 650 V počet kolíků: 4 kolíkový Průchozí otvor
- Infineon IGBT Typ N-kanálový 74 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- Infineon IGBT Typ N-kanálový 75 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- Infineon IGBT Typ N-kanálový 85 A 650 V počet kolíků: 4 kolíkový Průchozí otvor
- Infineon IGBT Typ N-kanálový 90 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- Infineon IGBT Typ N-kanálový 80 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- Infineon IGBT Typ N-kanálový 85 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor