Infineon IGBT Typ N-kanálový 74 A 650 V, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 tuba po 30 kusech)*

1 314,63 Kč

(bez DPH)

1 590,69 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 16. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
za tubu*
30 - 3043,821 Kč1 314,63 Kč
60 - 12041,63 Kč1 248,90 Kč
150 - 27039,877 Kč1 196,31 Kč
300 - 57037,248 Kč1 117,44 Kč
600 +35,057 Kč1 051,71 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
145-9173
Výrobní číslo:
IGW40N65F5FKSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

74A

Typ produktu

IGBT

Maximální napětí kolektoru Vceo

650V

Maximální ztrátový výkon Pd

250W

Typ balení

TO-247

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Maximální napětí brány VGEO

±30 V

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2.1V

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

JEDEC, RoHS, Pb-free lead plating

Řada

TrenchStop

Jmenovitá energie

0.46mJ

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
MY

Infineon TrenchStop IGBT tranzistory, 600 a 650


Řada IGBT tranzistorů od Infineon s napěťovým stupněním sběračů 600 a 650 V vybavených technologií TrenchStop™. Tato řada zahrnuje zařízení s integrovanou antiparalelní diodou pro vysokou rychlost obnovy.

• Rozsah napětí kolektoru-emitoru 600 až 650 V.

• Velmi nízký VCEsat

• Nízké ztráty při vypnutí

• Krátký proud zadních výklopných dveří

• Nízká EMI

• Maximální teplota spoje 175 °C.

IGBT Discretes & Modules Infineon


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy