Infineon IGBT Typ N-kanálový 74 A 650 V, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor

Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 tuba po 30 kusech)*

1 867,32 Kč

(bez DPH)

2 259,45 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 18. ledna 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
za tubu*
30 - 3062,244 Kč1 867,32 Kč
60 - 12059,132 Kč1 773,96 Kč
150 - 27056,645 Kč1 699,35 Kč
300 - 57052,907 Kč1 587,21 Kč
600 +49,795 Kč1 493,85 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
145-9173
Výrobní číslo:
IGW40N65F5FKSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

74A

Typ produktu

IGBT

Maximální napětí kolektoru Vceo

650V

Maximální ztrátový výkon Pd

250W

Typ balení

TO-247

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Maximální napětí brány VGEO

±30 V

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2.1V

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální provozní teplota

175°C

Řada

TrenchStop

Normy/schválení

JEDEC, RoHS, Pb-free lead plating

Jmenovitá energie

0.46mJ

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
MY

Infineon TrenchStop IGBT tranzistory, 600 a 650


Řada IGBT tranzistorů od Infineon s napěťovým stupněním sběračů 600 a 650 V vybavených technologií TrenchStop™. Tato řada zahrnuje zařízení s integrovanou antiparalelní diodou pro vysokou rychlost obnovy.

• Rozsah napětí kolektoru-emitoru 600 až 650 V.

• Velmi nízký VCEsat

• Nízké ztráty při vypnutí

• Krátký proud zadních výklopných dveří

• Nízká EMI

• Maximální teplota spoje 175 °C.

IGBT Discretes & Modules Infineon


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.