STMicroelectronics IGBT STGB3NC120HDT4 N-kanálový 14 A 1.2 kV, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Povrch 15 ns
- Skladové číslo RS:
- 151-940
- Výrobní číslo:
- STGB3NC120HDT4
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 50 kusů a ušetřete 11%
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 páska po 5 kusech)*
269,72 Kč
(bez DPH)
326,36 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 12. března 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za pásku* | Úspora |
|---|---|---|---|
| 5 - 45 | 53,944 Kč | 269,72 Kč | - |
| 50 - 245 | 47,474 Kč | 237,37 Kč | 11% |
| 250 - 495 | 42,386 Kč | 211,93 Kč | 21% |
| 500 + | 36,408 Kč | 182,04 Kč | 32% |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 151-940
- Výrobní číslo:
- STGB3NC120HDT4
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Maximální trvalý kolektorový proud Ic | 14A | |
| Typ produktu | IGBT | |
| Maximální napětí kolektoru Vceo | 1.2kV | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 75W | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Typ kanálu | N | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Spínací napětí | 15ns | |
| Maximální napětí brány VGEO | 20 V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT | 2.8V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 4.4mm | |
| Délka | 16mm | |
| Výška | 1mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Maximální trvalý kolektorový proud Ic 14A | ||
Typ produktu IGBT | ||
Maximální napětí kolektoru Vceo 1.2kV | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 75W | ||
Typ balení TO-263 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Typ kanálu N | ||
Počet kolíků 3 | ||
Spínací napětí 15ns | ||
Maximální napětí brány VGEO 20 V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT 2.8V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 4.4mm | ||
Délka 16mm | ||
Výška 1mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics IGBT vykazuje vynikající kompromis mezi nízkými ztrátami vodivosti a rychlým spínacím výkonem. Je navržen v technologii Power MESH v kombinaci s vysokonapěťovou ultrarychlou diodou.
Vysokonapěťová kapacita
Vysoká rychlost
Velmi měkká ultrarychlá antiparalelní dioda pro zotavení
Související odkazy
- STMicroelectronics IGBT STGB3NC120HDT4 N-kanálový 14 A 1.2 kV počet kolíků: 3 kolíkový Povrch 15 ns
- STMicroelectronics Dioda STTH1512G Spínané 15 A 1.2 kV 105 ns počet kolíků: 3 kolíkový
- STMicroelectronics IGBT STGD5NB120SZT4 N-kanálový 5 A 1.2 kV počet kolíků: 3 kolíkový Povrch 690 ns
- STMicroelectronics IGBT STGYA50H120DF2 1.2 kV, počet kolíků: 3 kolíkový 5 μs
- STMicroelectronics IGBT STGYA50M120DF3 50 A 1.2 kV, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor
- onsemi IGBT HGT1S10N120BNST N-kanálový 35 A 1.2 kV počet kolíků: 3 kolíkový Povrch 1 MHz
- STMicroelectronics Dioda STPSC20H12G-TR 20 A 1.2 kV počet kolíků: 2 kolíkový
- STMicroelectronics Dioda STPSC10H12G2-TR 10 A 1.2 kV počet kolíků: 2 kolíkový