STMicroelectronics Výkonový tranzistor SGT1D5R10MEA 100 V N-kanál, počet kolíků: 8 kolíkový Režim vylepšení 474 A
- Skladové číslo RS:
- 877-306
- Výrobní číslo:
- SGT1D5R10MEA
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů
Mezisoučet (1 naviják po 3000 kusech)*
225 858,00 Kč
(bez DPH)
273 288,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 17. května 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 3000 + | 75,286 Kč | 225 858,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 877-306
- Výrobní číslo:
- SGT1D5R10MEA
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | Výkonový tranzistor | |
| Maximální napětí kolektoru Vceo | 100V | |
| Typ montáže | Povrchová montáž | |
| Konfigurace tranzistoru | Režim vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 658W | |
| Polarita tranzistoru | N-kanál | |
| Maximální trvalý kolektorový proud Ic | 474A | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Řada | G-HEMT | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu Výkonový tranzistor | ||
Maximální napětí kolektoru Vceo 100V | ||
Typ montáže Povrchová montáž | ||
Konfigurace tranzistoru Režim vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 658W | ||
Polarita tranzistoru N-kanál | ||
Maximální trvalý kolektorový proud Ic 474A | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Řada G-HEMT | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Výkonový tranzistor STMicroelectronics nabízí extrémně nízké ztráty při vedení, vysokou proudovou kapacitu a mimořádně rychlý spínací provoz, který umožňuje vysokou hustotu výkonu a bezkonkurenční výkon.
Velmi vysoká spínací rychlost
Mimořádně nízké kapacity
Nabíjení bez reverzního obnovení
Související odkazy
- STMicroelectronics Výkonový tranzistor SGT1D5R10MEA 100 V N-kanál, počet kolíků: 8 kolíkový Režim vylepšení 474 A
- STMicroelectronics Výkonový tranzistor SGT3D5R10MEB 100 V N-kanál, počet kolíků: 9 kolíkový Režim vylepšení 201 A
- MOSFET STL190N8F8 N-kanálový 220 A 80 V STMicroelectronics počet kolíků: 8 kolíkový Režim vylepšení
- STMicroelectronics Výkonový tranzistor SGT240R70ITK 700 V TO-252 (D-PAK-3) N-kanál, počet kolíků: 3 kolíkový N-kanál 10
- řada: G-HEMT Tranzistor SGT080R70ILB P-kanál-kanálový 29 A 700 V STMicroelectronics počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: G-HEMT Tranzistor SGT070R70HTO P-kanál-kanálový 26 A 700 V STMicroelectronics počet kolíků: 13 kolíkový
- řada: G-HEMT Tranzistor SGT240R70ILB P-kanál-kanálový 10 A 700 V STMicroelectronics počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: G-HEMT Tranzistor SGT140R70ILB P-kanál-kanálový 17 A 700 V STMicroelectronics počet kolíků: 8 kolíkový