Paměťový čip SRAM CY7C1061GE30-10ZSXI, 16Mbit 1M x16 bitů 100MHz 2,2 V až 3,6 V, počet kolíků: 54, TSOP

Zobrazit vše v kategorii SRAM

Mezisoučet (1 jednotka)*

743,18 Kč

(bez DPH)

899,25 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 10 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
1 +743,18 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
181-7613
Výrobní číslo:
CY7C1061GE30-10ZSXI
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Velikost paměti

16Mbit

Organizace

1M x 16 bitů

Počet slov

1M

Počet bitů na slovo

16bit

Maximální čas náhodného přístupu

10ns

Šířka adresové sběrnice

16bit

Frekvence hodin

100MHz

Nízký výkon

Ano

Typ časování

Asynchronní

Typ montáže

Povrchová montáž

Typ balení

TSOP

Počet kolíků

54

Rozměry

22.51 x 10.26 x 1.05mm

Výška

1.05mm

Maximální provozní napájecí napětí

3,6 V

Maximální pracovní teplota

+85 °C

Šířka

10.26mm

Minimální provozní napájecí napětí

2,2 V

Délka

22.51mm

Minimální provozní teplota

-40 °C

CY7C1061G a CY7C1061GE jsou vysoce výkonná zařízení CMOS s rychlou statickou pamětí RAM s vestavěnou ochranou ECC. Obě zařízení jsou nabízena v jednoduchém a duálním čipu a jsou nabízena v konfiguraci s více vývody. Zařízení CY7C1061GE obsahuje kolík ERR, který signalizuje jednobitovou detekci chyb a korekční událost během cyklu čtení.

Vysokorychlostní
TAA = 10 ns/15 ns
Vestavěný kód opravy chyb (ECC) pro jednobitovou chybu
Oprava[1, 2]
Nízký aktivní a úsporný proud
ICC = 90 mA typicky při 100 MHz
IB2 = typicky 20 mA
Rozsah provozního napětí: 1,65 V až 2,2 V, 2,2 V až 3,6 V a
4,5 V až 5,5 V.
Uchovávání dat 1,0 V.
Vstupy a výstupy kompatibilní s tranzistorovými tranzistory (TTL)
Symbol chyby (ERR) označuje 1bitovou detekci chyby a korekci
K dispozici v balících VFBGA s 48pinovým TSOP I, 54-pinovým TSOP II a 48-kuličkovým VFBGA

Související odkazy