Infineon SRAM, 16 MB 1M x 16 Bit 100 MHz, počet kolíků: 54 kolíkový, TSOP

Zobrazit vše v kategorii SRAM

Mezisoučet (1 tác po 108 kusech)*

77 573,592 Kč

(bez DPH)

93 864,096 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 13. července 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za kus*
108 +718,274 Kč77 573,59 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
181-7451
Výrobní číslo:
CY7C1061GE30-10ZSXI
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

SRAM

Velikost paměti

16MB

Organizace

1M x 16 Bit

Počet slov

1M

Počet bitů na slovo

16

Maximální čas náhodného přístupu

10ns

Šířka adresové sběrnice

16bit

Maximální frekvence hodin

100MHz

Minimální napájecí napětí

2.2V

Typ časování

Asynchronní

Typ montáže

Povrch

Maximální napájecí napětí

3.6V

Minimální provozní teplota

-40°C

Typ balení

TSOP

Počet kolíků

54

Maximální provozní teplota

85°C

Řada

CY7C1061GE

Normy/schválení

No

Délka

22.51mm

Výška

1.05mm

Šířka

10.26 mm

Automobilový standard

Ne

Napájecí proud

110mA

CY7C1061G a CY7C1061GE jsou vysoce výkonná zařízení CMOS s rychlou statickou pamětí RAM s vestavěnou ochranou ECC. Obě zařízení jsou nabízena v jednoduchém a duálním čipu a jsou nabízena v konfiguraci s více vývody. Zařízení CY7C1061GE obsahuje kolík ERR, který signalizuje jednobitovou detekci chyb a korekční událost během cyklu čtení.

Vysokorychlostní

TAA = 10 ns/15 ns

Vestavěný kód opravy chyb (ECC) pro jednobitovou chybu

Oprava[1, 2]

Nízký aktivní a úsporný proud

ICC = 90 mA typicky při 100 MHz

IB2 = typicky 20 mA

Rozsah provozního napětí: 1,65 V až 2,2 V, 2,2 V až 3,6 V a

4,5 V až 5,5 V.

Uchovávání dat 1,0 V.

Vstupy a výstupy kompatibilní s tranzistorovými tranzistory (TTL)

Symbol chyby (ERR) označuje 1bitovou detekci chyby a korekci

K dispozici v balících VFBGA s 48pinovým TSOP I, 54-pinovým TSOP II a 48-kuličkovým VFBGA

Související odkazy