Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Winbond
	Velikost paměti	512MB
	Typ produktu	Mobilní paměť LPDDR SDRAM
	Organizace	64M x 8 bitů
	Šířka datové sběrnice	32bit
	Šířka adresové sběrnice	15bit
	Počet bitů na slovo	8
	Maximální frekvence hodin	200MHz
	Maximální čas náhodného přístupu	5ns
	Počet slov	64M
	Typ montáže	Povrch
	Typ balení	VFBGA
	Počet kolíků	90
	Minimální provozní teplota	-40°C
	Maximální provozní teplota	85°C
	Řada	W949D2DB
	Normy/schválení	LVCMOS Compatible
	Šířka	8.1mm
	Délka	13.1mm
	Výška	0.65mm
	Maximální napájecí napětí	1.95V
	Automobilový standard	Ne
	Minimální napájecí napětí	1.7V

	Vybrat vše
	Značka Winbond
	Velikost paměti 512MB
	Typ produktu Mobilní paměť LPDDR SDRAM
	Organizace 64M x 8 bitů
	Šířka datové sběrnice 32bit
	Šířka adresové sběrnice 15bit
	Počet bitů na slovo 8
	Maximální frekvence hodin 200MHz
	Maximální čas náhodného přístupu 5ns
	Počet slov 64M
	Typ montáže Povrch
	Typ balení VFBGA
	Počet kolíků 90
	Minimální provozní teplota -40°C
	Maximální provozní teplota 85°C
	Řada W949D2DB
	Normy/schválení LVCMOS Compatible
	Šířka 8.1mm
	Délka 13.1mm
	Výška 0.65mm
	Maximální napájecí napětí 1.95V
	Automobilový standard Ne
	Minimální napájecí napětí 1.7V

VDD = 1,7∼1.95V

VDQ = 1,7∼1.95V

Šířka dat: X16 / x32

Taktovací frekvence: 200 MHz (-5),6 MHz (-6)

Standardní režim automatického obnovení

Částečné automatické obnovení pole (PASR)

Automatické obnovení teplotní kompenzace (ATCSR)

Režim vypnutí

Režim hlubokého vypnutí (režim DPD)

Programovatelný výkon výstupního buzení

Čtyři interní banky pro souběžný provoz

Datová maska (DM) pro zápis dat

Možnost zastavení hodin v době nečinnosti

Možnost Auto Pre-charge (Automatické nabíjení) pro každý přístup série snímků

Dvojnásobná datová rychlost pro výstup dat

Diferenciální signály hodin (CK a CK)

Obousměrný datový záblet (DQS)

Latence CAS: 2 a 3

Délka dávky: 2, 4, 8 a 16

Typ série: Sekvenční nebo Interleave

Obnovovací cykly 8K/64 mS

Rozhraní: Kompatibilní s LVCMOS

Podpůrný balíček:

60 kuliček VFBGA (x16)

90 kuliček VFBGA (x32)

Rozsah pracovních teplot

Prodloužené: -25 °C ≤ TCASE ≤ 85 °C.

Průmyslové: -40 °C ≤ TCASE ≤ 85 °C.

Jedná se o 512 MB paměti DDR SDRAM s nízkou spotřebou, která je organizována jako 2M slova x 4 banky x 32 bitů.

Typ série: Sekvenční nebo Interleave

Standardní režim automatického obnovení

PASR, ATCSR, režim vypnutí DPD

Programovatelný výkon výstupního buzení

Čtyři interní banky pro souběžný provoz

Obousměrné provedení, datové pulzy (DQS) jsou vysílány nebo přijímány spolu s daty, což umožňuje záznam dat na přijímači

Winbond Mobilní paměť LPDDR SDRAM W949D2DBJX5I, 512 MB Povrch 32 bit 85 °C -40 °C, počet kolíků: 90 kolíkový, 1.95V, 1.7

Související odkazy