SDRAM W9712G6KB25I, 128Mbit Povrchová montáž 200MHz -40 °C až +95 °C, počet kolíků: 84, 1,7 V až 1,9 V, TFBGA DDR2

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*

275,65 Kč

(bez DPH)

333,55 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 08. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za balení*
5 - 555,13 Kč275,65 Kč
10 - 1550,142 Kč250,71 Kč
20 - 4549,202 Kč246,01 Kč
50 - 9548,61 Kč243,05 Kč
100 +43,62 Kč218,10 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
188-2730
Výrobní číslo:
W9712G6KB25I
Výrobce:
Winbond
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Winbond

Velikost paměti

128Mbit

Organizace

16M x 8 bitů

Třída SDRAM

DDR2

Přenosová rychlost

200MHz

Šířka datové sběrnice

16bit

Šířka adresové sběrnice

15bit

Počet bitů na slovo

8bit

Maximální čas náhodného přístupu

0.4ns

Počet slov

16M

Typ montáže

Povrchová montáž

Typ balení

TFBGA

Počet kolíků

84

Rozměry

12.6 x 8.1 x 0.8mm

Výška

0.8mm

Délka

12.6mm

Minimální provozní napájecí napětí

1,7 V

Maximální pracovní teplota

+95 °C

Maximální provozní napájecí napětí

1,9 V

Minimální provozní teplota

-40 °C

Šířka

8.1mm

W9712G6KB je 128M bitů DDR2 SDRAM a rychlost zahrnuje -25, 25I a -3.

Architektura Double Data Rate: dva datové přenosy během jednoho taktu
Čekací doba CAS: 3, 4, 5 a 6
Délka impulzu: 4 a 8
Obousměrné diferenciální datové pulzy (DQS a /DQS ) jsou vysílány/přijímány spolu s daty
Zarovnání ke kraji při čtení dat a zarovnání na střed při zápisu dat
DLL zarovnává DQ a DQS na hodiny
Diferenciální vstupy hodin (CLK a /CLK)
Datové masky (DM) pro zápis dat
Příkazy zadávané na každém kladném okraji CLK, datové a datové masce odkazují na oba okraje /DQS
Posted/CAS programovatelná latence aditiv podporována pro zajištění účinnosti příkazů a datových sběrnic
Přečtená čekací doba = Additional latence plus CAS latence (RL = AL + CL)
Nastavení impedance Off-Chip-Driver (OCD) a On-Die-Termination (ODT) pro vyšší kvalitu signálu
Operace automatického nabíjení pro impulzy při čtení a zápisu
Režimy automatického obnovení a samo-obnovení
Vypnutí před nabitím a aktivní vypnutí
Zapsat masku dat
Čekací doba zápisu = čekací doba čtení - 1 (WL = RL - 1)
Rozhraní: SSTL_18

Související odkazy