Winbond DDR2 SDRAM W9712G6KB25I, 128 MB Povrch 16 bit 95 °C -40 °C, počet kolíků: 84 kolíkový, 1.9 V, 1.7 V, TFBGA

Zobrazit vše v kategorii SDRAM
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*

275,65 Kč

(bez DPH)

333,55 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Na objednávky v hodnotě nižší než 1 500,00 Kč (bez DPH) se vztahuje poplatek ve výši 180,00 Kč.
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 06. července 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za balení*
5 - 555,13 Kč275,65 Kč
10 - 1550,142 Kč250,71 Kč
20 - 4549,202 Kč246,01 Kč
50 - 9548,61 Kč243,05 Kč
100 +43,62 Kč218,10 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
188-2730
Výrobní číslo:
W9712G6KB25I
Výrobce:
Winbond
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Winbond

Typ produktu

DDR2 SDRAM

Velikost paměti

128MB

Organizace

16M x 8 Bit

Šířka datové sběrnice

16bit

Šířka adresové sběrnice

15bit

Počet bitů na slovo

8

Maximální čas náhodného přístupu

0.4ns

Počet slov

16M

Typ montáže

Povrch

Typ balení

TFBGA

Minimální provozní teplota

-40°C

Počet kolíků

84

Maximální provozní teplota

95°C

Řada

W9712G6KB

Normy/schválení

RoHS

Délka

12.6mm

Výška

0.8mm

Šířka

8.1 mm

Minimální napájecí napětí

1.7V

Maximální napájecí napětí

1.9V

Automobilový standard

Ne

Napájecí proud

135mA

W9712G6KB je 128M bitů DDR2 SDRAM a rychlost zahrnuje -25, 25I a -3.

Architektura Double Data Rate: dva datové přenosy během jednoho taktu

Čekací doba CAS: 3, 4, 5 a 6

Délka impulzu: 4 a 8

Obousměrné diferenciální datové pulzy (DQS a /DQS ) jsou vysílány/přijímány spolu s daty

Zarovnání ke kraji při čtení dat a zarovnání na střed při zápisu dat

DLL zarovnává DQ a DQS na hodiny

Diferenciální vstupy hodin (CLK a /CLK)

Datové masky (DM) pro zápis dat

Příkazy zadávané na každém kladném okraji CLK, datové a datové masce odkazují na oba okraje /DQS

Posted/CAS programovatelná latence aditiv podporována pro zajištění účinnosti příkazů a datových sběrnic

Přečtená čekací doba = Additional latence plus CAS latence (RL = AL + CL)

Nastavení impedance Off-Chip-Driver (OCD) a On-Die-Termination (ODT) pro vyšší kvalitu signálu

Operace automatického nabíjení pro impulzy při čtení a zápisu

Režimy automatického obnovení a samo-obnovení

Vypnutí před nabitím a aktivní vypnutí

Zapsat masku dat

Čekací doba zápisu = čekací doba čtení - 1 (WL = RL - 1)

Rozhraní: SSTL_18

Související odkazy