Winbond DDR2 SDRAM W9712G6KB25I, 128 MB Povrch 16 bit 95 °C -40 °C, počet kolíků: 84 kolíkový, 1.9V, 1.7 V, TFBGA

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*

275,65 Kč

(bez DPH)

333,55 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 29. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
za balení*
5 - 555,13 Kč275,65 Kč
10 - 1550,142 Kč250,71 Kč
20 - 4549,202 Kč246,01 Kč
50 - 9548,61 Kč243,05 Kč
100 +43,62 Kč218,10 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
188-2730
Výrobní číslo:
W9712G6KB25I
Výrobce:
Winbond
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Winbond

Typ produktu

DDR2 SDRAM

Velikost paměti

128MB

Šířka datové sběrnice

16bit

Šířka adresové sběrnice

15bit

Počet bitů na slovo

8

Maximální čas náhodného přístupu

0.4ns

Počet slov

16M

Typ montáže

Povrch

Typ balení

TFBGA

Minimální provozní teplota

-40°C

Počet kolíků

84

Maximální provozní teplota

95°C

Normy/schválení

RoHS

Výška

0.8mm

Řada

W9712G6KB

Délka

12.6mm

Maximální napájecí napětí

1.9V

Automobilový standard

Ne

Napájecí proud

135mA

Minimální napájecí napětí

1.7V

W9712G6KB je 128M bitů DDR2 SDRAM a rychlost zahrnuje -25, 25I a -3.

Architektura Double Data Rate: dva datové přenosy během jednoho taktu

Čekací doba CAS: 3, 4, 5 a 6

Délka impulzu: 4 a 8

Obousměrné diferenciální datové pulzy (DQS a /DQS ) jsou vysílány/přijímány spolu s daty

Zarovnání ke kraji při čtení dat a zarovnání na střed při zápisu dat

DLL zarovnává DQ a DQS na hodiny

Diferenciální vstupy hodin (CLK a /CLK)

Datové masky (DM) pro zápis dat

Příkazy zadávané na každém kladném okraji CLK, datové a datové masce odkazují na oba okraje /DQS

Posted/CAS programovatelná latence aditiv podporována pro zajištění účinnosti příkazů a datových sběrnic

Přečtená čekací doba = Additional latence plus CAS latence (RL = AL + CL)

Nastavení impedance Off-Chip-Driver (OCD) a On-Die-Termination (ODT) pro vyšší kvalitu signálu

Operace automatického nabíjení pro impulzy při čtení a zápisu

Režimy automatického obnovení a samo-obnovení

Vypnutí před nabitím a aktivní vypnutí

Zapsat masku dat

Čekací doba zápisu = čekací doba čtení - 1 (WL = RL - 1)

Rozhraní: SSTL_18

Související odkazy