Micron SDRAM MT41J128M16JT-125:K, 2 Gb Povrchová montáž 16 bit 95 °C 0 °C, počet kolíků: 96 kolíkový, 1.57V, 1.43 V,
- Skladové číslo RS:
- 696-929
- Výrobní číslo:
- MT41J128M16JT-125:K
- Výrobce:
- Micron
Mezisoučet (1 jednotka)*
444,11 Kč
(bez DPH)
537,37 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 150 jednotka(y) budou odesílané od 24. prosince 2026
- Plus 100 jednotka(y) budou odesílané od 28. ledna 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 + | 444,11 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 696-929
- Výrobní číslo:
- MT41J128M16JT-125:K
- Výrobce:
- Micron
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Micron | |
| Velikost paměti | 2Gb | |
| Typ produktu | SDRAM | |
| Šířka datové sběrnice | 16bit | |
| Počet bitů na slovo | 16 | |
| Maximální frekvence hodin | 800MHz | |
| Typ montáže | Povrchová montáž | |
| Typ balení | FBGA | |
| Počet kolíků | 96 | |
| Minimální provozní teplota | 0°C | |
| Maximální provozní teplota | 95°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Šířka | 8mm | |
| Výška | 1.2mm | |
| Řada | MT41J | |
| Délka | 14mm | |
| Maximální napájecí napětí | 1.57V | |
| Minimální napájecí napětí | 1.43V | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Micron | ||
Velikost paměti 2Gb | ||
Typ produktu SDRAM | ||
Šířka datové sběrnice 16bit | ||
Počet bitů na slovo 16 | ||
Maximální frekvence hodin 800MHz | ||
Typ montáže Povrchová montáž | ||
Typ balení FBGA | ||
Počet kolíků 96 | ||
Minimální provozní teplota 0°C | ||
Maximální provozní teplota 95°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Šířka 8mm | ||
Výška 1.2mm | ||
Řada MT41J | ||
Délka 14mm | ||
Maximální napájecí napětí 1.57V | ||
Minimální napájecí napětí 1.43V | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- TW
Paměť Micron DDR3 SDRAM používá architekturu dvojité datové rychlosti pro dosažení vysokorychlostního provozu. Architektura dvojité datové rychlosti je architektura 8 n s rozhraním navrženým pro přenos dvou datových slov za cyklus hodin na I/O kolíky. Jednoduchá operace čtení nebo zápisu pro paměť DDR3 SDRAM se skládá z jednoho přenosu dat se šířkou 8 n bitů a čtyřmi cykly na vnitřním jádru DRAM a osmi odpovídajících přenosů dat se šířkou n bitů a jedním půlcyklem na I/O kolících.
Samoosvěžující teplota
Automatické automatické obnovení
Víceúčelový registr
Vyhovuje RoHS
Související odkazy
- Winbond SDRAM počet kolíků: 96 kolíkový 1.43 V, VFBGA
- Winbond SDRAM W631GG6NB12I počet kolíků: 96 kolíkový 1.43 V, VFBGA
- Alliance Memory SDRAM AS4C32M16D3-12BIN počet kolíků: 96 kolíkový 1.43 V,
- Winbond SDRAM počet kolíků: 78 kolíkový 1.43 V, VFBGA
- Winbond SDRAM W631GG8NB12I počet kolíků: 78 kolíkový 1.43 V, VFBGA
- ISSI SDRAM IS43TR16128D-125KBL počet kolíků: 96 kolíkový 1.43 V, BGA
- Alliance Memory SDRAM AS4C256M16D3C-12BCNTR počet kolíků: 96 kolíkový 1.43 V,
- Alliance Memory SDRAM AS4C128M16D3C-93BCNTR počet kolíků: 96 kolíkový 1.43 V,