ISSI SDRAM IS43TR16128D-125KBL, 2 Gb Povrchová montáž 95 °C -40 °C, počet kolíků: 96 kolíkový, 1.5V, 1.43 V, BGA

Paměť ISSI 2 Gb DDR3 SDRAM podporuje standardní napětí VDD a VDDQ při napětí 1,5 V, ± 0,075 V a nízkonapěťový provoz při napětí 1,35 V, +0,1 V, −067 V se zpětnou kompatibilitou až do 1,5 V. Poskytuje vysokorychlostní přenos dat se systémovými frekvencemi až 1066 MHz a je vybaven 8 interními bankami pro souběžné operace. Architektura je založena na 8n-bitovém předběhu a zahrnuje programovatelnou latenci CAS, možnosti aditivní latence 0 CL-1 nebo CL-2 a latenci zápisu CAS CWL na bázi tCK. Délka výbuchu je programovatelná na 4 nebo 8 s volitelnými režimy sekvence výbuchu, včetně sekvenčního a interleavového.

Spínač BL on-the-fly