ISSI SDRAM IS42S32800J-7TLI, 8 MB Povrch 32 bit 85 °C -40 °C, počet kolíků: 86 kolíkový, 3.6V, 3.3 V, TSOP II

SDRAM ISSI 256 Mb je vysokorychlostní dynamická paměť CMOS s náhodným přístupem navržená pro systémy 3,3 V Vdd a 3,3 V Vddq, obsahující 268435456 bitů. Je interně uspořádán jako čtyřbanková paměť DRAM se synchronním rozhraním, přičemž každá 67108864bitová banka je uspořádána do 4096 řádků po 512 sloupcích po 32 bitech. Zařízení podporuje režim AUTO REFRESH a úsporný režim vypnutí. Všechny signály jsou registrovány na kladném okraji signálu hodin CLK.

Rozhraní LLVTTL