ISSI SDRAM IS42S32400J-6BLI, 128 MB Povrchová montáž 32 bit 85 °C -40 °C, počet kolíků: 90 kolíkový, 3.6V, 3 V, BGA

SDRAM ISSI 128 Mb je vysokorychlostní dynamická paměť CMOS s náhodným přístupem navržená pro provoz v paměťových systémech 3,3 V VDD a 3,3 V VDDQ obsahujících 134 217 728 bitů. Interně konfigurováno jako čtyřbanková paměť DRAM se synchronním rozhraním. Každá 33 554 432bitová banka je uspořádána do 4 096 řádků po 256 sloupcích po 32 bitech. Všechny signály jsou registrovány na kladném okraji signálu hodin, CLK. Všechny vstupy a výstupy jsou kompatibilní s LVTTL. Paměť SDRAM 128 Mb má schopnost synchronně přepínat data při vysoké datové rychlosti s automatickou generací adres sloupců, schopnost přepínání mezi interními bankami pro skrytí doby dobíjení a schopnost náhodně měnit adresy sloupců na každém cyklu hodin během přístupu při přepínání.

Automatické obnovení (CBR)