Infineon FRAM FM24VN10-G, I2C, 1 MB 128K x 8 bitů, počet kolíků: 8 kolíkový -40 °C až 85 °C, SOIC-8
- Skladové číslo RS:
- 273-7382
- Výrobní číslo:
- FM24VN10-G
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 tuba po 97 kusech)*
24 495,70 Kč
(bez DPH)
29 639,81 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 970 jednotka(y) budou odesílané od 12. října 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 97 - 97 | 252,533 Kč | 24 495,70 Kč |
| 194 + | 222,229 Kč | 21 556,21 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 273-7382
- Výrobní číslo:
- FM24VN10-G
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | FRAM | |
| Velikost paměti | 1MB | |
| Organizace | 128K x 8 bitů | |
| Typ rozhraní | I2C | |
| Šířka datové sběrnice | 8bit | |
| Maximální frekvence hodin | 3.4MHz | |
| Typ balení | SOIC-8 | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Maximální provozní teplota | 85°C | |
| Minimální provozní teplota | -40°C | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Počet slov | 128k | |
| Maximální napájecí napětí | 3.6V | |
| Počet bitů na slovo | 8 | |
| Minimální napájecí napětí | 2V | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu FRAM | ||
Velikost paměti 1MB | ||
Organizace 128K x 8 bitů | ||
Typ rozhraní I2C | ||
Šířka datové sběrnice 8bit | ||
Maximální frekvence hodin 3.4MHz | ||
Typ balení SOIC-8 | ||
Počet kolíků 8 | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Maximální provozní teplota 85°C | ||
Minimální provozní teplota -40°C | ||
Automobilový standard Ne | ||
Počet slov 128k | ||
Maximální napájecí napětí 3.6V | ||
Počet bitů na slovo 8 | ||
Minimální napájecí napětí 2V | ||
Infineon FRAM je 1 Mbit netěkavá paměť využívající pokročilý ferroelektrický proces. Feroelektrická paměť s náhodným přístupem nebo paměť FRAM je netěkavá a provádí čtení a zápis podobně jako paměť RAM. Zajišťuje spolehlivé uchování dat po dobu 151 let a zároveň eliminuje složitosti, nadměrné náklady a problémy se spolehlivostí na úrovni systému způsobené pamětí EEPROM a dalšími netěkavými pamětmi. Na rozdíl od paměti EEPROM provádí zápis při rychlosti sběrnice. Nejsou způsobeny žádné zpoždění při zápisu. Data se zapíší do paměťového pole ihned po úspěšném přenosu každého bajtu do zařízení. Další cyklus sběrnice může být zahájen bez nutnosti sběru dat. Kromě toho nabízí výrobek značnou odolnost při zápisu ve srovnání s jinými netěkavými pamětmi.
V souladu s RoHS
Nízká spotřeba energie
Rychlé 2vodičové sériové rozhraní
Vysoká odolnost 100 bilionů čtení a zápisu
Pokročilý ferroelektrický proces s vysokou spolehlivostí
Související odkazy
- Infineon FRAM 1 MB 128K x 8 bitů SOIC-8
- Infineon FRAM 16 MB 128K x 8 bitů SOIC
- Infineon FRAM FM24V10-GTR 16 MB 128K x 8 bitů SOIC
- Infineon FRAM 1 MB 128K x 8 bitů DSO
- Infineon FRAM FM25V10-GTR 1 MB 128K x 8 bitů DSO
- Infineon 2 Wire I2C počet kolíků: 8 kolíkový -40 °C až
- Infineon 2 Wire I2C počet kolíků: 8 kolíkový -40 °C až 85 °C, SOIC
- Infineon SPI počet kolíků: 8 kolíkový -40 °C až 85 °C,