Infineon, standard: AEC-Q100 FRAM, 2 Wire I2C, 1 MB 128K x 8 bitů 450 ns, počet kolíků: 8 kolíkový -40 °C až 85 °C, SOIC
- Skladové číslo RS:
- 188-5405
- Výrobní číslo:
- FM24V10-G
- Výrobce:
- Infineon
Mezisoučet (1 tuba po 97 kusech)*
52 004,513 Kč
(bez DPH)
62 925,452 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 97 jednotka(y) budou odesílané od 21. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 97 + | 536,129 Kč | 52 004,51 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 188-5405
- Výrobní číslo:
- FM24V10-G
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Velikost paměti | 1MB | |
| Typ produktu | FRAM | |
| Organizace | 128K x 8 bitů | |
| Typ rozhraní | 2 Wire I2C | |
| Šířka datové sběrnice | 8bit | |
| Maximální čas náhodného přístupu | 450ns | |
| Maximální frekvence hodin | 3.4MHz | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Typ balení | SOIC | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Délka | 4.97mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 3.98mm | |
| Výška | 1.38mm | |
| Maximální provozní teplota | 85°C | |
| Počet slov | 128k | |
| Automobilový standard | AEC-Q100 | |
| Minimální napájecí napětí | 2V | |
| Maximální napájecí napětí | 3.6V | |
| Počet bitů na slovo | 8 | |
| Minimální provozní teplota | -40°C | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Velikost paměti 1MB | ||
Typ produktu FRAM | ||
Organizace 128K x 8 bitů | ||
Typ rozhraní 2 Wire I2C | ||
Šířka datové sběrnice 8bit | ||
Maximální čas náhodného přístupu 450ns | ||
Maximální frekvence hodin 3.4MHz | ||
Typ montáže Povrch | ||
Typ balení SOIC | ||
Počet kolíků 8 | ||
Délka 4.97mm | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 3.98mm | ||
Výška 1.38mm | ||
Maximální provozní teplota 85°C | ||
Počet slov 128k | ||
Automobilový standard AEC-Q100 | ||
Minimální napájecí napětí 2V | ||
Maximální napájecí napětí 3.6V | ||
Počet bitů na slovo 8 | ||
Minimální provozní teplota -40°C | ||
- Země původu (Country of Origin):
- US
FRAM, Cypress Semiconductor
Paměť F-RAM (Ferothic Random Access Memory) je energeticky úsporná a má nejvyšší spolehlivost netěkavých pamětí RAM pro sériová i paralelní rozhraní. Díly s indexem A jsou určeny pro automobilové aplikace a jsou kvalifikovány pro AEC-Q100.
Energeticky nezávislá paměť RAM
Vysoká rychlost zápisu
Vysoká odolnost
Nízká spotřeba energie
Fram (Ferroelektrická RAM)
Fram (Ferroelectric Random Access Memory) je energeticky nezávislá paměť, která využívá feroelektrický film jako kondenzátor pro ukládání dat. F-RAM má vlastnosti zařízení ROM i RAM a je vybavena vysokorychlostním přístupem, vysokou odolností v režimu zápisu, nízkou spotřebou energie, nestabilitou a vynikající odolností proti neoprávněné manipulaci. Je proto ideální pamětí pro použití na čipových kartách, které vyžadují vysoké zabezpečení a nízkou spotřebu energie, ale také na mobilních telefonech a dalších zařízeních.
Související odkazy
- Infineon FRAM 16 MB 128K x 8 bitů SOIC
- Infineon FRAM FM24V10-GTR 16 MB 128K x 8 bitů SOIC
- Infineon 2 Wire I2C počet kolíků: 8 kolíkový -40 °C až
- Infineon FRAM 1 MB 128K x 8 bitů SOIC-8
- Infineon FRAM FM24VN10-G 1 MB 128K x 8 bitů SOIC-8
- Infineon FRAM 1 MB 128K x 8 bitů DSO
- Infineon FRAM FM25V10-GTR 1 MB 128K x 8 bitů DSO
- Infineon SPI počet kolíků: 8 kolíkový -40 °C až 85 °C,