Infineon FRAM FM24C16B-G, Sériové - I2C, 16 kB 2K x 8 bitů, počet kolíků: 8 kolíkový -40 °C až 85 °C, SOIC-8
- Skladové číslo RS:
- 273-7376
- Výrobní číslo:
- FM24C16B-G
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 tuba po 97 kusech)*
5 836,393 Kč
(bez DPH)
7 061,988 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 15. února 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 97 - 97 | 60,169 Kč | 5 836,39 Kč |
| 194 + | 54,152 Kč | 5 252,74 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 273-7376
- Výrobní číslo:
- FM24C16B-G
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Velikost paměti | 16kB | |
| Typ produktu | FRAM | |
| Organizace | 2K x 8 bitů | |
| Typ rozhraní | Sériové - I2C | |
| Šířka datové sběrnice | 8bit | |
| Maximální frekvence hodin | 1MHz | |
| Typ balení | SOIC-8 | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Maximální provozní teplota | 85°C | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Počet bitů na slovo | 8 | |
| Maximální napájecí napětí | 5.5V | |
| Počet slov | 2k | |
| Minimální napájecí napětí | 4.5V | |
| Minimální provozní teplota | -40°C | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Velikost paměti 16kB | ||
Typ produktu FRAM | ||
Organizace 2K x 8 bitů | ||
Typ rozhraní Sériové - I2C | ||
Šířka datové sběrnice 8bit | ||
Maximální frekvence hodin 1MHz | ||
Typ balení SOIC-8 | ||
Počet kolíků 8 | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Maximální provozní teplota 85°C | ||
Automobilový standard Ne | ||
Počet bitů na slovo 8 | ||
Maximální napájecí napětí 5.5V | ||
Počet slov 2k | ||
Minimální napájecí napětí 4.5V | ||
Minimální provozní teplota -40°C | ||
Infineon FRAM je 16kbitová netěkavá paměť využívající pokročilý ferroelektrický proces. Feroelektrická paměť s náhodným přístupem nebo paměť FRAM je netěkavá a provádí čtení a zápis podobně jako paměť RAM. Zajišťuje spolehlivé uchování dat po dobu 151 let a zároveň eliminuje složitosti, nadměrné náklady a problémy se spolehlivostí na úrovni systému způsobené pamětí EEPROM a dalšími netěkavými pamětmi. Na rozdíl od paměti EEPROM provádí zápis při rychlosti sběrnice. Nejsou způsobeny žádné zpoždění při zápisu. Data se zapíší do paměťového pole ihned po úspěšném přenosu každého bajtu do zařízení. Další cyklus sběrnice může být zahájen bez nutnosti sběru dat. Kromě toho nabízí výrobek značnou odolnost při zápisu ve srovnání s jinými netěkavými pamětmi.
V souladu s RoHS
Nízká spotřeba energie
Rychlé 2vodičové sériové rozhraní
Vysoká odolnost 100 bilionů čtení a zápisu
Pokročilý ferroelektrický proces s vysokou spolehlivostí
Související odkazy
- Infineon FRAM FM24C16B-GTR 16 kB 2K x 8 bitů SOIC-8
- Infineon FRAM 16 kB 2K x 8 bitů SOIC-8
- Infineon FRAM 1 MB 128K x 8 bitů SOIC-8
- Infineon FRAM 4 kB 512 x 8 bitů SOIC-8
- Infineon FRAM 16 MB 128K x 8 bitů SOIC
- Infineon FRAM FM24VN10-G 1 MB 128K x 8 bitů SOIC-8
- Infineon FRAM FM24CL04B-G 4 kB 512 x 8 bitů SOIC-8
- Infineon FRAM FM24V10-GTR 16 MB 128K x 8 bitů SOIC
