Paměť FRAM CY15B104Q-SXI, SPI, 4Mbit 512 k x 8 bitůů 16ns 2 V až 3,6 V, počet kolíků: 8 -40 °C až +85 °C, SOIC

Paměť F-RAM (Ferothic Random Access Memory) je energeticky úsporná a má nejvyšší spolehlivost netěkavých pamětí RAM pro sériová i paralelní rozhraní. Díly s indexem A jsou určeny pro automobilové aplikace a jsou kvalifikovány pro AEC-Q100.

Energeticky nezávislá paměť RAM
Vysoká rychlost zápisu
Vysoká odolnost
Nízká spotřeba energie

Feroelektrická paměť s náhodným přístupem 4 Mbit (F-RAM) logicky uspořádaná jako 512 K x 8
Vysoká výdrž 100 bilionů (1014) čtení a zápis
Uchovávání 151 let údajů
Funkce NoDelay™ se zapíše
Advanced high-reliability ferroelectric process
Velmi rychlé sériové periferní rozhraní (SPI)
Frekvence až 40 MHz
Přímá výměna hardwaru pro sériová flash paměť a paměť EEPROM
Podporuje režim SPI 0 (0, 0) a režim 3 (1, 1)
Sofistikované schéma ochrany proti zápisu
Hardwarová ochrana pomocí kolíku Write Protect (WP)
Softwarová ochrana pomocí instrukcí Write Disable (Zakázat zápis)
Ochrana bloku softwaru pro pole 1/4, 1/2 nebo celé
ID zařízení
ID výrobce a ID produktu
Nízká spotřeba energie
Aktivní proud 300 μA při 1 MHz
100 μA (typ) klidový proud
3 μA (typ) proud v režimu spánku
Nízkonapěťový provoz: VDD = 2,0 V až 3,6 V.
Průmyslová teplota: -40 °C až +85 °C.
Balení
Souprava s 8 vývody pro malý integrovaný obvod (SOIC)
8kolíková tenká duální plochá, bez svodů (TDFN)

Fram (Ferroelektrická RAM)

Fram (Ferroelectric Random Access Memory) je energeticky nezávislá paměť, která využívá feroelektrický film jako kondenzátor pro ukládání dat. F-RAM má vlastnosti zařízení ROM i RAM a je vybavena vysokorychlostním přístupem, vysokou odolností v režimu zápisu, nízkou spotřebou energie, nestabilitou a vynikající odolností proti neoprávněné manipulaci. Je proto ideální pamětí pro použití na čipových kartách, které vyžadují vysoké zabezpečení a nízkou spotřebu energie, ale také na mobilních telefonech a dalších zařízeních.