Infineon FRAM CY15B104Q-SXI, SPI, 4 MB 16 ns, počet kolíků: 8 kolíkový -40 °C až 85 °C, SOIC
- Skladové číslo RS:
- 124-2933
- Výrobní číslo:
- CY15B104Q-SXI
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
1 006,96 Kč
(bez DPH)
1 218,42 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 600 jednotka(y) budou odesílané od 30. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 4 | 1 006,96 Kč |
| 5 - 9 | 906,27 Kč |
| 10 + | 811,55 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 124-2933
- Výrobní číslo:
- CY15B104Q-SXI
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Velikost paměti | 4MB | |
| Typ produktu | FRAM | |
| Typ rozhraní | SPI | |
| Šířka datové sběrnice | 8bit | |
| Maximální čas náhodného přístupu | 16ns | |
| Maximální frekvence hodin | 40MHz | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Typ balení | SOIC | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Délka | 5.33mm | |
| Výška | 1.78mm | |
| Šířka | 5.33mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Maximální provozní teplota | 85°C | |
| Počet bitů na slovo | 8 | |
| Minimální provozní teplota | -40°C | |
| Počet slov | 512K | |
| Minimální napájecí napětí | 2V | |
| Maximální napájecí napětí | 3.6V | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Velikost paměti 4MB | ||
Typ produktu FRAM | ||
Typ rozhraní SPI | ||
Šířka datové sběrnice 8bit | ||
Maximální čas náhodného přístupu 16ns | ||
Maximální frekvence hodin 40MHz | ||
Typ montáže Povrch | ||
Typ balení SOIC | ||
Počet kolíků 8 | ||
Délka 5.33mm | ||
Výška 1.78mm | ||
Šířka 5.33mm | ||
Normy/schválení No | ||
Maximální provozní teplota 85°C | ||
Počet bitů na slovo 8 | ||
Minimální provozní teplota -40°C | ||
Počet slov 512K | ||
Minimální napájecí napětí 2V | ||
Maximální napájecí napětí 3.6V | ||
Automobilový standard Ne | ||
FRAM, Cypress Semiconductor
Paměť F-RAM (Ferothic Random Access Memory) je energeticky úsporná a má nejvyšší spolehlivost netěkavých pamětí RAM pro sériová i paralelní rozhraní. Díly s indexem A jsou určeny pro automobilové aplikace a jsou kvalifikovány pro AEC-Q100.
Energeticky nezávislá paměť RAM
Vysoká rychlost zápisu
Vysoká odolnost
Nízká spotřeba energie
Fram (Ferroelektrická RAM)
Fram (Ferroelectric Random Access Memory) je energeticky nezávislá paměť, která využívá feroelektrický film jako kondenzátor pro ukládání dat. F-RAM má vlastnosti zařízení ROM i RAM a je vybavena vysokorychlostním přístupem, vysokou odolností v režimu zápisu, nízkou spotřebou energie, nestabilitou a vynikající odolností proti neoprávněné manipulaci. Je proto ideální pamětí pro použití na čipových kartách, které vyžadují vysoké zabezpečení a nízkou spotřebu energie, ale také na mobilních telefonech a dalších zařízeních.
Související odkazy
- Infineon FRAM 4 MB 16 ns SOIC
- Infineon FRAM CY15B104Q-LHXI 4 MB 512KB x 8 bitů 16 ns DFN
- Infineon FRAM 4 MB 512KB x 8 bitů 16 ns DFN
- Infineon FRAM 8 MB 0 ns SOIC
- Infineon FRAM CY15B108QN-40SXI 8 MB 0 ns SOIC
- Infineon SPI počet kolíků: 8 kolíkový -40 °C až 85 °C,
- Infineon SPI počet kolíků: 8 kolíkový -40 °C až 85 °C,
- Infineon SPI počet kolíků: 8 kolíkový -40 °C až 85 °C,